Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0223U001129, 0121U110388 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні властивості багатодолинних напівпровідників і світлодіодних структур у радіаційних, теплових і деформаційних полях Назва етапу роботи Керівник роботи Гайдар Галина Петрівна, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 25-01-2023 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень Національної академії наук України Опис етапу Установлено, що відпал трансмутаційно легованих кристалів n-Si за температур 1323–1373 K призводить до збільшення концентрації носіїв заряду порівняно з вихідною внаслідок появи високотемпературних термодонорів. Виявлено, що помірна швидкість охолодження від температур відпалу, які не перевищують 1373 K, призводить до видалення глибоких донорних рівнів, характерних для трансмутаційно легованих кристалів Si, тоді як ця сама швидкість охолодження від температури відпалу 1473 K призводить до генерації глибоких центрів. Проаналізовано перехідні процеси, які відбуваються при введенні та виведенні світлодіодних структур арсенід алюмінію-галію з активної зони (при опроміненні гамма-квантами). Встановлено, що залишкова деградація інтенсивності свічення діодів зумовлена радіаційно-стимульованим утворенням стійких (при 300 K) асоціацій точкових дефектів у підсистемі As. З’ясовано, що існування затяжної релаксації зумовлено наявністю у вихідних зразках дислокаційних сіток. Встановлено стимульоване швидкими нейтронами зростання прямого струму структур арсенід алюмінію-галію в інтервалі температур 132–300 K. З’ясовано, що зменшення зворотного струму за великих флюенсів опромінення зумовлене зростанням опору бази. Виявлено, що виникнення тунельного пробою в окремих зразках зумовлюється тунелюванням на рівнях радіаційних дефектів, уведених нейтронами. Показано, що за малих напруг підвищення температури зразків призводить до зменшення прямого струму, а за великих – до зростання. Виявлено особливості формування ВАХ GaP світлодіодів – червоних (легованих Zn і O) і зелених (легованих N) – при зворотному зміщенні, а також особливості відновлення зворотного струму при відпалі обох видів діодів. Установлено, що стабільність зелених світлодіодів порівняно з червоними значно вища; термообробка до 683 K мало позначається на величині зворотного струму насичення; пробійна напруга майже в 1,5 раза вища від пробійної напруги червоних діодів.  Опис продукції Автори роботи Єрмольчик Володимир Олександрович Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Литовченко Петро Григорович Макуха Олександр Миколайович Малий Євген Вікторович Пінковська Мирослава Богданівна Петренко Ігор Віталійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Додано в НРАТ 2023-01-25 Закрити