Реєстраційний номер
0223U001761,
0120U102202
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розроблення наукових і технологічних основ створення елементів мікро- і наносистемної техніки на основі базових сенсорних напівпровідникових кристалів та наноструктур
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Дружинін Анатолій Олександрович, Доктор технічних наук
Дата реєстрації
02-02-2023
Організація виконавець
Національний університет "Львівська політехніка"
Опис етапу
Вдосконалено методики отримання, а також дослідження електрофізичних характеристик на постійному та змінному струмі експериментальних зразків ниткоподібних кристалів і наноструктур (Si, Ge, SiGe, InSb, GaSb, GaAs) заданого складу, морфології, стехіометрії, рівня легування та геометричних розмірів. Встановлено кореляцію між особливостями зміни електро- і магнітотранспортних властивостей ниткоподібних кристалів і наноструктур (Si, Ge, SiGe, InSb, GaSb, GaAs) з різною концентрацією легуючої домішки в широкому інтервалі температур і сильних магнітних полях. Доповнено теоретичні уявлення про механізми стрибкової провідності в квазіодновимірних напівпровідникових структурах. Розроблено експериментальні зразки сенсорних і перетворювальних пристроїв на основі напівпровідникових мікро- і нанокристалів (Si, Si-Ge, сполук А3В5), а також багатофункційні сенсори в складі інформаційно-вимірювальних систем, дієздатних в складних умовах експлуатації (ударні навантаження, радіація, вібрації, низькі та підвищені температури).
Опис продукції
Автори роботи
Гарасим Ірина Данилівна
Кутраков Олексій Петрович
Лях-Кагуй Наталія Степанівна
Нічкало Степан Ігорович
Островський Ігор Петрович
Темірова Олена Хадзіметівна
Ховерко Юрій Миколайович
Додано/оновлено в НРАТ
2023-02-02
