Реєстраційний номер
0223U002179,
0121U109987
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Фізичні основи технологій створення електронно-емітуючих поверхонь з низькою роботою виходу та негативною електронною спорідненістю
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Горячко Андрій Миколайович, Доктор фізико-математичних наук
Дата реєстрації
12-02-2023
Організація виконавець
Київський національний університет імені Тараса Шевченка
Опис етапу
Об’єкт дослідження – Нанорозмірні системи оксидів Gd та Ce на поверхнях Si та Mo.
Мета роботи – Розробка фізичних основ технології приготування катодних поверхонь з нанесеними шарами оксидів рідкісноземельних металів, які мають низьку роботу виходу, високий квантовий вихід, та високий коефіцієнт вторинної
електронної емісії.
Методи дослідження – електронна спектроскопія, електронна дифракція електронів, сканувальна зондова мікроскопія, аналітичні розрахунки, чисельні розрахунки.
Створено фізичні основи технології виготовлення електронно-емітуючих поверхонь шляхом самозбирання в електричному полі нанорозмірного рельєфу у вигляді нановістер або нановолокон з матеріалу із великою шириною забороненої
зони на кремнієвій або молібденовій підкладинці, включаючи оксиди серію та гадолінію. Створено дослідний зразок для експериментальних вимірювань струму автоелектронної емісії з емітуючих поверхонь та побудовано дослідну установку
для виготовлення нановолокон з оксидних матеріалів методом електроспінінгу та нанесення їх на підкладинку. Проведено вимірювання мікрохвильової адсорбції бромованими вуглецевими волокнами на основі методики стоячих хвиль.
Виходячи з цих вимірювань, оцінено потенційні екрануючі властивості даних волоконних покриттів в різних радіодіапазонах. Побудовано послідовну теорію польової емісії з наноструктурованого напівпровідникового SiC з використанням
створеної аналітичної моделі для коефіцієнта підсилення поля у випадку достатньо «згладжених» протрузій, поверхня яких описуються кривою лоренцівського типу. Розвинуто просту теоретичну модель, яка пов’язує зменшення електронної спорідненості напівпровідника (чи діелектрика) з такими параметрами, як поверхнева густина заряду, локалізованого на поверхневих станах чи адсорбованих атомах, та об’ємна густина заряду в області просторового заряду, які разом утворюють подвійний заряджений шар на поверхні.
Опис продукції
Автори роботи
Колесник Олег Григорович
Мойсеєнко Владислав Анатолійович
Стріха Максим Віталійович
Федорченко Микола Іванович
Додано/оновлено в НРАТ
2023-02-12
