Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0223U002179, 0121U109987 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні основи технологій створення електронно-емітуючих поверхонь з низькою роботою виходу та негативною електронною спорідненістю Назва етапу роботи Керівник роботи Горячко Андрій Миколайович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 12-02-2023 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Об’єкт дослідження – Нанорозмірні системи оксидів Gd та Ce на поверхнях Si та Mo. Мета роботи – Розробка фізичних основ технології приготування катодних поверхонь з нанесеними шарами оксидів рідкісноземельних металів, які мають низьку роботу виходу, високий квантовий вихід, та високий коефіцієнт вторинної електронної емісії. Методи дослідження – електронна спектроскопія, електронна дифракція електронів, сканувальна зондова мікроскопія, аналітичні розрахунки, чисельні розрахунки. Створено фізичні основи технології виготовлення електронно-емітуючих поверхонь шляхом самозбирання в електричному полі нанорозмірного рельєфу у вигляді нановістер або нановолокон з матеріалу із великою шириною забороненої зони на кремнієвій або молібденовій підкладинці, включаючи оксиди серію та гадолінію. Створено дослідний зразок для експериментальних вимірювань струму автоелектронної емісії з емітуючих поверхонь та побудовано дослідну установку для виготовлення нановолокон з оксидних матеріалів методом електроспінінгу та нанесення їх на підкладинку. Проведено вимірювання мікрохвильової адсорбції бромованими вуглецевими волокнами на основі методики стоячих хвиль. Виходячи з цих вимірювань, оцінено потенційні екрануючі властивості даних волоконних покриттів в різних радіодіапазонах. Побудовано послідовну теорію польової емісії з наноструктурованого напівпровідникового SiC з використанням створеної аналітичної моделі для коефіцієнта підсилення поля у випадку достатньо «згладжених» протрузій, поверхня яких описуються кривою лоренцівського типу. Розвинуто просту теоретичну модель, яка пов’язує зменшення електронної спорідненості напівпровідника (чи діелектрика) з такими параметрами, як поверхнева густина заряду, локалізованого на поверхневих станах чи адсорбованих атомах, та об’ємна густина заряду в області просторового заряду, які разом утворюють подвійний заряджений шар на поверхні. Опис продукції Автори роботи Колесник Олег Григорович Мойсеєнко Владислав Анатолійович Стріха Максим Віталійович Федорченко Микола Іванович Додано в НРАТ 2023-02-12 Закрити