Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0223U002426, 0121U113502 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технології виготовлення гетероструктур на основі нанопоруватого кремнію для сонячних фотоелементів Назва етапу роботи Керівник роботи Кідалов Валерій Віталійович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 18-02-2023 Організація виконавець Таврійський державний агротехнологічний університет імені Дмитра Моторного Опис етапу Об’єкт дослідження – фотоелектричні перетворювачі на основі гетероструктур SiС/porous-Si/Si (100) та SiС/porous-Si/Si (111). Мета етапу – розроблення технології виготовлення гетероструктур на основі нанопоруватого кремнію для сонячних фотоелементів. Вперше за допомогою методу твердофазної епітаксії виготовлено гетероструктури SiC/porous-Si/Sі (111) за температури обробки 1290°С. Електронограма однозначно вказує на епітаксійність шару політипу 3С-SiC. Плівки SiC є гладкими та не містять двійників на поверхні, товщина плівки становить ~70 нм. У зруйнованій межі між SiC-Si присутні як кубічна, так і гексагональна фази у співвідношенні 80% до 20% відповідно. У спектрах фотолюмінесценції як при Т=300 К, так і при Т=77 К, спостерігається вузька лінія на довжині хвилі ~371 нм. Переважаючою є люмінесценція в області гексагональних фаз, які містяться у перехідній області. За допомогою методу твердофазної епітаксії виготовлено гетероструктури SiC/porous-Si/Sі (100) за температури обробки 1290°С. За результатами досліджень морфології встановлено, що товщина плівки становить ~250 нм, а середньоквадратична шорсткість плівки SiC – 59 нм. Точкові рефлекси електронограм однозначно вказують на епітаксійний шар політипу 3С-SiC. Результати рентгенофазового аналізу вказують на присутність як кубічної, так і гексагональної фази в плівці SiC. Розмір областей когерентного россіяння, визначений по формулі Дебая-Шеррера, становить 28.7 нанометрів. Отримані спектри фотолюмінесценції плівок SiC простягалися від ультрафіолетової області спектру охоплюючи майже всю видиму область спектру. Розроблено технологічний маршрут виготовлення фотоелементів сонячних батарей на основі гетероструктур SiC/porous-Si/Si та досліджено їх фотовольтаїчні характеристики (струм короткого замикання, напруга холостого ходу, фактор заповнення). Опис продукції Автори роботи Дьоміна Наталя Анатоліївна Дяденчук Альона Федорівна Хрипко Сергій Леонідович Додано в НРАТ 2023-02-18 Закрити