Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0223U002427, 0121U112197 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення методів синтезу багатокомпонентних покриттів на основі високоентропійних сплавів шляхом розпорошення множини окремих компонентів Назва етапу роботи Керівник роботи Чугай Олег Миколайович, д.т.н. Дата реєстрації 18-02-2023 Організація виконавець Національний аерокосмічний університет ім. М. Є. Жуковського "Харківський авіаційний інститут" Опис етапу  Об’єкт дослідження – методи формування багатокомпонентних покриттів зокрема на основі високоентропійних сплавів. Мета роботи – розроблення технології та обладнання для синтезу багатокомпонентних покриттів на основі високоентропійних сплавів шляхом розпорошення множини окремих компонент. Методи дослідження: математичне моделювання, рентгеноструктурний аналіз, енергодисперсійний аналіз складу, дослідження мікротвердості, діелектрична спектроскопія, скануюча фотодіелектрична спектроскопія. Результати НДР та їх новизна: 1. Вперше розроблено чисельну модель для розрядного проміжку в тримірній постановці. Це забезпечить включення у розрахунок по одному катоду кожної групи, а відтак оцінку впливу геометрії катодів та їх положення на локальні параметри плазми. Крім того, забезпечено дослідження щільності іонного струму в кожній точці поверхні катодів-мішеней. 2. Іонно-плазмовим методом на металевих підкладках сформовані багатокомпонентні покриття на основі карбіду вольфраму, в склад яких входять кілька металів. Вперше встановлено зв’язок періоду кристалічної решітки з розміром області когерентного розсіювання рентгенівських променів та мікротвердістю одержаних покриттів. Одержані дані свідчать про перспективність управління широким спектром фізико-технічних властивостей багатокомпонентних покриттів на основі карбіду вольфраму, а також високоентропійних сплавів при їхньому формуванні за допомогою інверсних магнетронних розпорошувальних систем з секціонованими катодними вузлами. 3. Вперше встановлено вплив електромагнітного поля надвисокої частоти на діелектричні властивості кристалічних матеріалів в низькочастотній області. 4. Досліджено дію гама випромінювання з потужністю експозиційної дози всього 700 мкР/годину на кристалічні матеріали. Вперше встановлені істотні зміни в низькочастотній області комплексної діелектричної проникності кристалів типу Cd1-xZnxTe під дією такого іонізуючого випромінювання. Опис продукції Автори роботи Ісаков Олексій Володимирович Олійник Сергій Володимирович Полубояров Олексій Олександрович Чугай Олег Миколайович Додано в НРАТ 2023-02-18 Закрити