Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0223U003151, 0120U101192 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фазові переходи, наведені вакансіями кисню в оксидних фероїках Назва етапу роботи Керівник роботи Глинчук Майя Давидівна, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 02-04-2023 Організація виконавець Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича Національної академії наук України Опис етапу  Вперше спостережено посилений електромеханічний відгук в тонких плівках BaTiO3 за допомогою динамічного локального контролю вакансій кисню в силовій мікроскопії. Показано, що динаміка вакансій у складних оксидах може відігравати ключову роль у визначенні функціональних властивостей, і, таким чином, забезпечує новий шлях до досягнення покращеного фероїчного відгуку із більш високими функціональними температурними інтервалами в сегнетоелектриках та інших фероїках. Удосконалено технології синтезу однофазних керамічних зразків релаксорів та нанорозмірних порошків бінарних оксидів. Діелектричні дослідження зразків релаксора Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 з наведеними в їх структурі вакансіями кисню свідчать про формування двох фаз в досліджуваних зразках, причому обидві фази відносяться до релаксорного сегнетоелектрика. Систематично вивчено вплив Sn на характеристики накопичення енергії та механізми провідності кераміки (Ba0,85Ca0,15)(Zr0,1-xSnxTi0,9)O3 (x = 0, 0,02, 0,04 і 0,06), виготовленої золь-гель методом. Продемонстровано значне підвищення сегнетоелектрики в тонких плівках HfO2 на основі керування дефектами за допомогою бомбардування іонами He. Проаналізовано можливі конкуруючі механізми, включаючи індуковані іонами He зміни молярного об’єму, перерозподіл вакансій, утворення вакансій та активацію рухливості вакансій. Ці дослідження розкривають походження сегнетоелектрики в цій системі та відкривають шляхи для створення наноінженерних бінарних сегнетоелектриків Теоретично досліджено механізми, які можуть призвести до стаціонарної чи перехідної негативної ємності в сегнетоелектричній плівці, стабілізованій шаром діелектрика. Ефект негативної ємності супроводжується майже нульовою діелектричною сприйнятливістю в широкому діапазоні напруг і низьких частот. Ці результати можуть допомогти прояснити спостереження перехідної негативної ємності в тонких сегнетоелектричних плівках. Опис продукції Автори роботи Єлісєєв Євген Анатолійович Загородній Юрій Олексійович Кондакова Ірина Василівна Кричинська Віра Олексіївна Кузян Роман Оганесович Ліхтін Андрій Едуардович Лагута Валентин Володимирович Лещенко Оксана Вікторівна Павліков Віктор Миколайович Плескач Ігор Всеволодович Рогінець Надія Володимирівна Стратьєв Віктор Георгійович Умпелева Єлизавета Дмитрівна Ушаков Олександр Миколайович Юрченко Леся Петрівна Додано в НРАТ 2023-04-02 Закрити