Реєстраційний номер
0223U003797,
0122U000942
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Ефективні матеріали для напівпровідникової техніки на основі халькогенідів та галогенідів металів
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Олексеюк Іван Дмитрович, д.х.н.
Дата реєстрації
03-07-2023
Організація виконавець
Волинський національний університет імені Лесі Українки
Опис етапу
Розробка технології отримання стекол та монокристалів, оптичні елементи з яких будуть використані у нелінійно-оптичних пристроях інфрачервоного (ІЧ) діапазону: лазерах, лідарах, військовій техніці та є матеріалами подвійного призначення. Робота спрямована на вирішення важливих питань безпеки та обороноздатності України, оскільки будуть вивчені механізми, відповідальні за лінійні та нелінійно-оптичні процеси у стеклах та монокристалах сполук, що утворюються в системах Ag2S – Ge(Sn)S(Se)2 – As(Sb)2S(Se)3, Ag2S – GeS2 – Ga2S3, Tl2S – GeS2 – Ga2S3, Ga2S3–GeS2–As(Sb)2S3, AgCl(Br,I)–Ga(In)2S3–La2S3 легованих РЗМ (Pr, Nd, Dy, Er), з метою вдосконалення їх роботи. Будуть визначені оптимальні склади скляних матриць та концентрацій легуючих домішок, оптимальні параметри вирощування якісних монокристалів, що забезпечать задані параметри випромінювання атомів РЗМ у ІЧ діапазоні. Даний проєкт базується, в тому числі, на авторських результатах попередніх фундаментальних та прикладних досліджень і його кінцевим продуктом є матеріали з покращеними фізичними та фізико-хімічними характеристиками, як основа для ефективних випромінювачів і перетворювачів світла у ближньому та середньому ІЧ діапазонах спектру.
Опис продукції
Автори роботи
Іващенко Інна Алімівна
Галян Володимир Володимирович
Гулай Любомир Дмитрович
Олексеюк Іван Дитрович
Піскач Людмила Василівна
Додано/оновлено в НРАТ
2023-07-03
