Реєстраційний номер
0223U004844,
0123U102736
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розробка новітніх тонкоплівкових матеріалів оптоелектроніки на основі зв’язаних гібридів квантових точок і двовимірних наноструктур
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Кондратенко Сергій Вікторович, Доктор фізико-математичних наук
Дата реєстрації
06-12-2023
Організація виконавець
Київський національний університет імені Тараса Шевченка
Опис етапу
Об’єкт дослідження – взаємодія електромагнітного випромінювання оптичного діапазону з гібридними 2D-0D наноструктурами дихалькогенідів перехідних металів та напівпровідникових квантових точок.
Предмет дослідження – поглинання світла, механізми фотоперетворення та фотолюмінесценції, процеси фотогенерації та рекомбінації носіїв заряду в гібридних 2D-0D наноструктурах дихалькогенідів перехідних металів та напівпровідникових квантових точок.
Мета дослідження – розробка наукових засад виготовлення тонких плівок на основі гібридних 2D-0D наноструктур дихалькогенідів перехідних металів та напівпровідникових квантових точок на підкладки різного типу, визначення морфології, оптичних та фотоелектричних властивостей отриманих плівок і встановлення таким чином їх придатності для виготовлення оптоелектронних пристроїв.
Методи дослідження – спектроскопія фотолюмінесценції та фотопровідності, атомно-силова мікроскопія, оптична мікроскопія, раманівське розсіювання світла, температурні вимірювання люмінесцентних характеристик.
Встановлено взаємозв’язок між морфологією, оптичними та локальними електричними властивостями тонких плівок з гібридними 2D-0D наноструктурами. Методами спектральної еліпсометрії, спектроскопії фотопровідності та фотолюмінесценції досліджено комплекс оптичних характеристик гібридних плівок, виготовлених на діелектричних (скло) та напівпровідникових (Si, GaAs) підкладках. Встановлено взаємозв’язок між структурно-морфологічними, оптичними та електричними характеристиками тонких плівок з окремими 2D флейками MoS2, зв’язаними з нанокластерами AgInS2, квантовими точками MoS2.Проведено дослідження оптичного відгуку та фоточутливості гетеросистем MoS2/AgInS2, CdTe/Si, InAs/GaAs, GeSn/Ge/Si з врахуванням спектра електронних станів напівпровідникових квантоворозміних наноструктур (0D, 2D), що дозволило встановити механізми фоточутливості та з’ясувати вплив на неї інтерфейсних станів та переносу
енергії та заряду між різними підсистемами.
Опис продукції
Автори роботи
Даценко Олександр Іванович
Кованжі Петро Олександрович
Лунько Тетяна Сергіївна
Микитюк Анастасія Олександрівна
Поперенко Леонід Володимирович
Смалюк Андрій Павлович
Додано/оновлено в НРАТ
2023-12-06
