Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0223U005078, 0123U103148 , Науково-дослідна робота Назва роботи Гібридні надпровідникові пристрої для нейроморфних застосувань Назва етапу роботи Керівник роботи Житлухіна Олена Сергіївна, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 14-12-2023 Організація виконавець Донецький фізико-технічний інститут імені О. О. Галкіна Національної академії наук України Опис етапу  Об’єкт дослідження. Нанорозмірні плівки прозорих надпровідників і надпровідників з аномально високим параметром Гінзбурга-Ландау. Предмет дослідження. Виготовлення надтонких надпровідних плівок для подальших нейроморфних застосувань, вимірювання резистивних характеристик та теоретична інтерпретація отриманих даних. Мета дослідження. Виготовлення та дослідження гібридних спінтронних/надпровідникових пристроїв для нейроморфних обчислень та інженерії. Методи дослідження. Виміри резистивних характеристик модифікованим методом ван-дер-Пау, аналіз зарядового струму в неоднорідних надпровідних плівках за допомогою теорії зарядового розсіювання в мезоскопічних структурах. Основні результати роботи. Наведено огляд існуючих кріогенних нейроморфних апаратних засобів та порівняно їхні ключові показники, окреслено переваги та проблеми, з якими стикаються сучасні технологічні платформи нейроморфних систем. За допомогою модифікованої методики ван-дер-Пау запропоновано новий підхід до отримання даних щодо неоднорідного переходу двовимірних плівок у надпровідний стан. Цю методику було застосовано до легованих плівок оксиду індію та олова, які демонструють одночасно провідні властивості і є прозорими для видимого світла. Виявлено технологічні параметри, які дозволяють отримувати відповідні гомогенні зразки з критичною температурою надпровідного переходу біля 5 К. Продемонстровано можливість реалізації в надпровідній плівці нітриду ніобію тривимірного стану з точки зору надпровідного параметра порядку та двовимірного просторового розподілу надструму. Показано теоретично, що співвідношення між двома характерними довжинами надпровідника – довжиною когерентності та лондонівською глибиною проникнення – визначає кутову і температурну залежність верхнього критичного поля. Отримані результати дозволяють значно підвищити інтегрованість квантових і нейроморфних мікросхем на основі надпровідників для створення великомасштабних обчислювальних і інформаційних мереж нової генерації. Опис продукції Автори роботи Білоголовський Михайло Олександрович Болясова Ольга Олександрівна Дмитренко Вікторія Юріївна Додано в НРАТ 2023-12-14 Закрити