Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0223U005108, 0123U102727 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив розмірних ефектів на електрофізичні властивості графен-сегнетоелектричних наноструктур Назва етапу роботи Керівник роботи Морозовська Ганна Миколаївна, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 14-12-2023 Організація виконавець Інститут фізики Національної академії наук України Опис етапу Об’єкт дослідження – сегнетоелектрики, графен, графен-сегнетоелектричні наноструктури та комплекси. Предмет дослідження – розмірні ефекти електрофізичних, полярних, магнітних та магнітоелектричних властивостей графен-сегнетоелектричних наноструктур. Мета НТР – встановлення впливу розмірних ефектів на електрофізичні, полярні, магнітні та магнітоелектричні властивості графен-сегнетоелектричних наноструктур (ГСЕНС) для створення новітніх пристроїв енергонезалежної пам'яті та надчутливих сенсорів. Мета 2-го етапу - аналіз впливу розмірних ефектів на полярні та спектроскопічні властивості сегнетоелектриків-мультифероїків і графенів, та подальша розробка аналітичного опису ефектів пам'яті гістерезисного типу у ГСЕНС. Основні результати. В результаті виконання 2-го етапу НТР продовжені дослідження впливу розмірних ефектів на полярні, спектроскопічні та електрофізичні характеристики графен-сегнетоелектричних наноструктур; проведений теоретичний аналіз найбільш цікавих та перспективних проявів ефектів пам'яті гістерезисного типу у графен-сегнетоелектричних наноструктурах. Зокрема: 1) Використовуючи ефективну вільну енергію Ландау-Гінзбурга-Девоншира, проаналізовано, як поляризація плівок Hf1-xZrxO2 впливає на ефекти пам'яті гістерезисного типу у графен-сегнетоелектричних наноструктурах. 2) Проаналізовані результати Раман-спектроскопії, дифракції рентгенівських променів, інфрачервоної спектроскопії та вимірювань магнітних властивостей мультифероїків сегнетоелектричного-антиферомагнітного типу Bi1-xRExFeO3 (RE - рідкоземельні елементи La, Lu або Sm). 3) Проаналізовано походження та умови стабільності гексагональної фази у нанопластівцях LuFeO3, в якій наночастинка є слабким феромагнетиком за кімнатної температури із вираженим структурним і сегнетоелектричним дальнім упорядкуванням. Опис продукції Автори роботи Боднарук Андрій Васильович Голуб Павло Володимирович Морозовська Ганна Миколаївна Раллєв Максим Віталійович Старинець Сергій Михайлович Ткаченко Віталій Сергійович Фесенко Олена Мар'янівна Яремкевич Андрій Дмитрович Додано в НРАТ 2023-12-14 Закрити