Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0223U005145, 0117U003185 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження адсорбційних процесів і явищ в напівпровідникових структурах з поверхневим шаром, модифікованим фізичними і хімічними методами Назва етапу роботи Керівник роботи Маслєєва Наталя Володимирівна, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 15-12-2023 Організація виконавець Одеський національний університет імені І. І. Мечникова Опис етапу  Встановлено механізм впливу рівня легування на газову чутливість p n переходів на основі кремнію. Поверхневим легуванням досягнуто суттєве покращення параметрів p n переходів як газових сенсорів. Виявлено особливості гетеропереходів GaP–InGaP отриманих за допомогою лазерного легування. Показано, що такі гетеропереходи, отримані при певних технологічних умовах, виявляють електролюмінесцентні властивості, а як фотоелектричні перетворювачі енергії мають підвищенні значення струму короткого замикання та напруги холостого ходу. Досліджено вплив режимів сульфідної модифікації поверхні у водному розчині сульфіду натрію на вольт - амперні характеристики і газову чутливість p-n переходів на основі GaAs. Встановлено, що короткотривала обробка зменшує прямі та обернені струми у предпробійної області та збільшує чутливість до парів аміаку, що є результатом зменшення густини поверхневих станів межі розділу p- та n-областей. Збільшення тривалості обробки супроводжувалося зменшенням ефекту покращення вольт - амперних характеристик та зниженням досягнутої газової чутливості. На залежностях величини зменшення струмів від тривалості сульфідної модифікації поверхні спостерігалися максимуми, після яких починалося зменшення змін струмів. Це можна пояснити зростанням густини поверхневих станів p-n переходів внаслідок збільшення механічних напружень при утворенні на поверхні шару сульфіду галію при довготривалій сульфідній обробці. Дослідження спектрів фотоструму до та після модифікації поверхні показали зростання фоточутливості у інфрачервоній області спектру. Опис продукції Автори роботи Маслєєва Наталя Володимирівна Пастернак Наталя Миколаївна Птащенко Олександр Олександрович Стукалов Сергій Анатолійович Додано в НРАТ 2023-12-15 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Маслєєва Наталя Володимирівна. Дослідження адсорбційних процесів і явищ в напівпровідникових структурах з поверхневим шаром, модифікованим фізичними і хімічними методами. (Етап: ). Одеський національний університет імені І. І. Мечникова. № 0223U005145
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14