Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0223U005156, 0123U103764 , Науково-дослідна робота Назва роботи Плазмонне захоплення світла для високоефективних тонкоплівкових сонячних елементів Назва етапу роботи Керівник роботи Євтух Анатолій Антонович, д.ф.-м.н. Дата реєстрації 15-12-2023 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу   Звіт подається в одному томі: 45 с., 10 рис, 1 табл., 67 джерел. Ключові слова: ІОННО-ПЛАЗМОВА ТЕХНОЛОГІЯ, НАНОКОМПОЗИТНІ ПЛІВКИ, ОКСИДНІ МАТРИЦІ, ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ, СТРУКТУРА ТА СКЛАД, ПЛАЗМОНІКА, ПЛІВКИ Al, ТЕХНОЛОГІЇ, ТЕРМІЧНІ ВІДПАЛИ, ФОТОВОЛЬТАЇКА. Обєкт дослідження – іонно-плазмова технологія отримання нанокомпозитних плівок та технологія отримання надтонких плівок алюмінію. Метою даного етапу проекту є розробка технології формування збагачених кремнієм нанокомпозитних плівок SiOx(Si) та SixOyNz(Si) з нанокристалами кремнію і процеси формування Al наночастинок на поверхні кремнієвої підкладинки. У результаті роботи розроблено технологію іонно-плазмового осадження збагачених кремнієм нанокомпозитних плівок SiOx(Si), SiOxNy(Si) та SiAlzOxNy(Si) з нанокристалами кремнію та досліджено їх структурні та оптичні характеристики. Встановлено, що плівки мають низьке поглинання та значну прозорість в УФ-видимому діапазоні – ближній ІЧ-області спектру. Атоми Al знаходяться у зв’язаному стані (частинки металу не утворюються). Розроблено технологію формування надтонких плівок Al та встановлено вплив термічного відпалу на структуру та оптичні властивості плівок. Встановлено, що після термічного відпалу плівка Al стає пористою. Падіння оптичного пропускання в короткохвильовій області може бути довгохвильовим плечем локалізованої смуги поверхневого плазмонного резонансу в наночастинках алюмінію. Така стрічка корисна для фотоелектричних пристроїв для поглинання світла в УФ-діапазоні. Встановлено покращення відбивної здатності p-Si/Al/SiOx структур у довгохвильовому діапазоні 620...920 нм. Отримані результати можуть бути застосовані для формування структури p-Si/Al/SiOx на тильній стороні при виготовленні тонкоплівкових сонячних елементів Опис продукції Автори роботи Євтух Анатолій Антонович Антонін Сергій Володимирович Братусь Олег Леонідович Мурий Ярослав Юрійович Пилипова Ольга Вікторівна Федоренко Леонід Леонідович Додано в НРАТ 2023-12-15 Закрити