Реєстраційний номер
0223U005475,
(0123U102709)
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Оптично- та акустично-контрольовані пристрої для керування терагерцовим випромінюванням на основі кристалічних і нанокомпозитних матеріалів
Назва етапу роботи
Закупівля та виготовлення зразків. Вимірювання необхідних параметрів зразків. Вдосконалення експериментальних установок та проведення Раманівських вимірювань. Вимірювання фотогенерації носіїв у вибраних матеріалах.
Керівник роботи
Андрущак Анатолій Степанович, Доктор технічних наук
Дата реєстрації
22-12-2023
Організація виконавець
Національний університет "Львівська політехніка"
Опис роботи
Метою проєкту є дослідження впливу оптично спроектованих дифракційних граток і електрофізичних параметрів напівпровідникових підкладок на параметри оптично керованого модулятора терагерцового випромінювання, а також вплив на модуляцію цього випромінювання при керуванні хвилями електронної густини за рахунок поверхневих акустичних хвиль.
Опис етапу
Основними цілями даного етапу роботи були вибір і виготовлення необхідних зразків кристалічних матеріалів та нанопористих матриць, модернізація експериментального обладнання, вимірювання необхідних параметрів кристалічних зразків і нанопористих матриць, а також дослідження фотогенерації носіїв у обраних матеріалах.
Для виконання проєкту закуплено необхідне обладнання та кристалічні зразки Si, Ge, Bi12GeO20 (BGO), Bi12SiO20 (BSO), а також зразки тонких плівок Se на кварцовій підкладці, нанопористі матриці різної структури та геометрії із Si та SiO2.
Проведено вимірювання електропровідності зразків Si, Ge, BGO, BSO та тонких плівок Se, а також нанопористої матриці Al2O3. Вимірювання електропровідності здійснювалися методами імпедансної спектроскопії, а також чотиризондовим методом Ван-дер-Пау. Степінь імпедансні вимірювання у частотному діапазоні від 10-2 до 10 6 Гц вказали на внесок різних механізмів у результуючу електропровідність.
Проведено спектральні дослідження об’ємних і тонкоплівкових матеріалів, а також нанопористих матриць. Проаналізовано залежності спектрів пропускання і відбивання, визначено товщини тонких плівок, оптичні константи матеріалів, встановлено ширини заборонених зон досліджуваних речовин.
Створено стенд для вимірювання впливу світлового випромінювання на генерацію носіїв у вибраних матеріалах. Проведено дослідження фотогенерації носіїв в кристалах Si при різних умовах експерименту. На основі експериментальних даних визначено зміни провідності та концентрації носіїв у залежності від потужності падаючого випромінювання. В кристалах Ge дослідженню фотогенерації носіїв перешкоджає високе поглинання світлового випромінювання (для λ ≤ 550 нм). В кристалах BGO і BSO і плівках Se виявлено високі значення темнових опорів .
Опис продукції
Автори роботи
Щур Ярослав Йосифович
Андрущак Назарій Анатолійович
Балабан Оксана Василівна
Бендак Андрій Іванович
Венгрин Богдан Ярославович
Данилов Андрій Богданович
Додано/оновлено в НРАТ
2023-12-22
