Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0223U005475, 0123U102709 , Науково-дослідна робота Назва роботи Оптично- та акустично-контрольовані пристрої для керування терагерцовим випромінюванням на основі кристалічних і нанокомпозитних матеріалів Назва етапу роботи Керівник роботи Андрущак Анатолій Степанович, Доктор технічних наук Дата реєстрації 22-12-2023 Організація виконавець Національний університет "Львівська політехніка" Опис етапу Основними цілями даного етапу роботи були вибір і виготовлення необхідних зразків кристалічних матеріалів та нанопористих матриць, модернізація експериментального обладнання, вимірювання необхідних параметрів кристалічних зразків і нанопористих матриць, а також дослідження фотогенерації носіїв у обраних матеріалах. Для виконання проєкту закуплено необхідне обладнання та кристалічні зразки Si, Ge, Bi12GeO20 (BGO), Bi12SiO20 (BSO), а також зразки тонких плівок Se на кварцовій підкладці, нанопористі матриці різної структури та геометрії із Si та SiO2. Проведено вимірювання електропровідності зразків Si, Ge, BGO, BSO та тонких плівок Se, а також нанопористої матриці Al2O3. Вимірювання електропровідності здійснювалися методами імпедансної спектроскопії, а також чотиризондовим методом Ван-дер-Пау. Степінь імпедансні вимірювання у частотному діапазоні від 10-2 до 10 6 Гц вказали на внесок різних механізмів у результуючу електропровідність. Проведено спектральні дослідження об’ємних і тонкоплівкових матеріалів, а також нанопористих матриць. Проаналізовано залежності спектрів пропускання і відбивання, визначено товщини тонких плівок, оптичні константи матеріалів, встановлено ширини заборонених зон досліджуваних речовин. Створено стенд для вимірювання впливу світлового випромінювання на генерацію носіїв у вибраних матеріалах. Проведено дослідження фотогенерації носіїв в кристалах Si при різних умовах експерименту. На основі експериментальних даних визначено зміни провідності та концентрації носіїв у залежності від потужності падаючого випромінювання. В кристалах Ge дослідженню фотогенерації носіїв перешкоджає високе поглинання світлового випромінювання (для λ ≤ 550 нм). В кристалах BGO і BSO і плівках Se виявлено високі значення темнових опорів . Опис продукції Автори роботи Андрущак Назарій Анатолійович Балабан Оксана Василівна Бендак Андрій Іванович Венгрин Богдан Ярославович Данилов Андрій Богданович Щур Ярослав Йосифович Додано в НРАТ 2023-12-22 Закрити