Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0224U001316, 0121U110388 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні властивості багатодолинних напівпровідників і світлодіодних структур у радіаційних, теплових і деформаційних полях Назва етапу роботи Керівник роботи Гайдар Галина Петрівна, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 21-01-2024 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень Національної академії наук України Опис етапу Виявлено анізотропію польових залежностей гальваномагнітних ефектів у некомпенсованих кристалах р-Ge різних кристалографічних орієнтацій як під впливом деформації, так і без неї. Встановлено, що ізоенергетичні поверхні, які виникають унаслідок направленої деформації, не можуть розглядатись як досконалі еліпсоїди обертання у діапазоні тисків до 1 ГПа. У компенсованих кристалах p-Ge показано, що: 1) при монотонному підвищенні тиску польові залежності поперечного магнітотензоопору проявляють немонотонність своїх змін; 2) залежності змін тензомагнітоопору при монотонному зростанні тиску характеризуються наявністю мінімуму, який в разі підвищення напруженості магнітного поля зміщується в область менших тисків. Встановлено, що після опромінення швидкими нейтронами потужних InGaN/GaN світлодіодів величина та знак зміни тунельних струмів суттєво залежать від підкладки, на якій вони сформовані. Виявлено, що в структурі на кремній-вуглецевій підкладці струм прямої вольт-амперної характеристики у діапазоні напруг від нуля до 1,7 В зростає в 10–100 разів, а в структурі на кремнієвій підкладці із золото-олов’яним контактом тунельний струм не змінюється. Показано, що на зворотній вольт-амперній характеристиці світлодіодів на кремній-вуглецевій підкладці в результаті опромінення струм різко зростає, а в структурі на кремнієвій підкладці – зменшується. Встановлено, що світлодіоди на кремній-вуглецевій підкладці мають кращі електричні та люмінесцентні характеристики, проте опромінення призводить до більших змін їхніх характеристик. Встановлено, що опромінення електронами з енергією 2 МеВ зелених світлодіодів із квантовими ямами, виготовлених на основі твердого розчину нітриду індію-галію, призводить до зменшення їх інтенсивності свічення внаслідок уведення глибоких безвипромінювальних рівнів переважно у квантові ями. Виявлено, що зростання диференційного опору та підвищення бар’єрного потенціалу відбуваються в результаті зменшення концентрації носіїв у квантових ямах.  Опис продукції Автори роботи Єрмольчик Володимир Олександрович Варніна Валентина Іванівна Литовченко Петро Григорович Макуха Олександр Миколайович Малий Євген Вікторович Пінковська Мирослава Богданівна Петренко Ігор Віталійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Додано в НРАТ 2024-01-21 Закрити