Реєстраційний номер
0224U001491,
0122U200830
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розроблення технології росту структур на основі антимоніду індію та виготовлення тестових зразків фотодіодів
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Круковський Семен Іванович, д.т.н.
Дата реєстрації
23-01-2024
Організація виконавець
Науково-виробниче підприємство "Електрон-Карат"-дочірнє підприємство ПрАТ "Концерн-Електрон"
Опис етапу
Розроблені технологічні інструкції щодо вибору температурних та часових параметрів імпульсного охолодження підкладки і режимів легування епітаксійного шару p-InSb, які забезпечують кристалізацію шарів p-InSb товщиною 1-3 мкм з концентрацію дірок (0,5-5)•1015см-3. Розроблена технологічна інструкція формування епітаксійної структури n-InSb/p-InSb. Виготовлено експериментальні зразки структур р-InSb/n-InSb та проведено дослідження їх параметрів. Розроблена методика контролю зворотних струмів в p-n InSb переході на основі дослідження вольт-амперних характеристик тестових меза-фотодіодів.
Опис продукції
Автори роботи
Іжнін Ігор Іванович
Кость Ярослав Ярославович
Круковський Семен Іванович
Притуляк Богдан Богданович
Рейкін Борис Олександрович
Додано/оновлено в НРАТ
2024-01-23
