Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0224U002084, 0121U111699 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізика взаємодії матеріалів на основі халькогенідних напівпровідникових і квазікристалічних плівкових систем з надвисокочастотним електромагнітним випромінюванням та потужним радіаційним впливом Назва етапу роботи Керівник роботи Малихін Сергій Володимирович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 05-02-2024 Організація виконавець Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут" Опис етапу  Об'єкти дослідження - закономірності змінення фізичних властивостей приладових структур на основі напівпровідникових і квазікристалічних плівкових систем, що відбуваються під впливом імпульсного НВЧ електромагнітного випромінювання та, водневої плазми. Мета роботи - встановлення нових ефектів та закономірностей щодо змінювання структурного стану та фізичних, електрофізичних і фізико-механічних властивостей напівпровідникових і квазікристалічних функціональних плівкових систем при взаємодії з НВЧ випромінюванням та потужним радіаційно-плазмовим впливом. Методи дослідження - рентгеноструктурний та рентгено-флюоресцентний аналізи, методи електронно-оптичного аналізу, електричні вимірювання, вакуумні методи отримування тонких плівок. Встановлені закономірності змінення структурно-фазового стану, субструктури та окремих фізичних властивостей плівок системи Ti-Zr-Ni в залежності від режиму їх отримання, а також закономірності поведінки квазікристалічних та метал-квазікристалічних шаруватих систем під дією радіаційно-термічного впливу. Отримані нові знання про закономірності змінювання напруженого стану та морфології поверхні квазікристалічних функціональних матеріалів, що можуть бути використані в умовах інтенсивних циклічних радіаційних та термічних навантажень. Розроблені фізичні основи створення стійких квазікристалічних матеріалів для ядерної та термоядерної енергетики. Встановлені закономірності кінетичних процесів перемикання між станами з високим та низьким електричним опором в плівках CdTe та розроблені фізичні моделі цих процесів. Створено радіаційно стійку фоточутливу приладову структуру на основі CdS/CdTe яка може бути використана в якості радіаційного сенсору. Створені приладові структури Mo/CdTe/Mo, які можуть виконувати функції: елементів захисту НВЧ апаратури від електромагнітних імпульсів; можуть бути використані як елемент резистивної пам’яті; після попереднього електричного формування можуть проявляти дві нелінійні ділянки S і N типу на ВАХ. Опис продукції Автори роботи Батурін Олексій Анатолійович Богданов Юрій Сергійович Борисова Світлана Серафимівна Доброжан Андрій Ігорович Кіріченко Михайло Валерійович Копилець Ігор Анатолійович Любов Віктор Миколайович Махлай Вадим Олександрович Меріуц Андрій Володимирович Михайлов Антон Ігорович Рудченко Світлана Олегівна Суровицький Сергій Вікторович Фоміна Лариса Петрівна Хрипунов Геннадій Семенович Хрипунов Максим Геннадійович Додано в НРАТ 2024-02-05 Закрити