Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0224U031689, 0122U000129 , Науково-дослідна робота Назва роботи Пошук оптимальних умов синтезу наноструктур на поверхні напівпровідників А3В5, А2В6 і кремнію для фотоніки і сонячної енергетики Назва етапу роботи Керівник роботи Сичікова Яна Олександрівна, Доктор технічних наук Дата реєстрації 05-06-2024 Організація виконавець Бердянський державний педагогічний університет Опис етапу  У результаті виконання першого етапу роботи було досліджено формування та властивості складної наноструктури AlxGa1− xAs на поверхні монокристалічного арсеніду галію та залежність параметрів від коефіцієнту «х», а також стабільності наноструктури. На поверхні mono-GaAs було синтезовано шар оксиду галію Ga2O3. Досліджено стабілізаційні параметри цьго шару та встановлено специфічні умови синтезу. Було досліджено механізм росту β-SiC на поверхні кремнію, зокрема встановлено що такі структури формуються за механізмом Странського-Костанова. На поверхні InP було сформовано оксидні пасивуючі шари, досліджено умови формування періодичних структур по типу паркет та встановлено умови формування різних типів пор в залежності від орієнтації кристалу та технологічних параметрів, а також пояснено механізми модифікації поверхні кристалу. Формування поруватих шарів на поверхні GaAs методом електрохімічного травлення досліджено для різних складів електроліту та умов синтезу, що дозволило значно просунутися в розумінні шляхів оптимізації технологій синтезу для промислового виробництва por-GaAs. Опис продукції Автори роботи Сичікова Яна Олександрівна Цибуляк Наталя Юріївна Додано в НРАТ 2024-06-05 Закрити