Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0224U032931, (0124U003833) , Науково-дослідна робота Назва роботи Низькорозмірні структури для підсилення квантового виходу люмінесценції у високоефективних фосфоресцентних світловипромінюючих пристроях Назва етапу роботи Моделювання та створення світловипромі-нювачів на основі низькорозмірних структур. Керівник роботи Стахіра Павло Йосипович, Доктор технічних наук Дата реєстрації 11-12-2024 Організація виконавець Національний університет "Львівська політехніка" Опис роботи Головною метою проєкту є вивчення та розроблення 2D розмірних наношарових гетероструктур з використанням органічних емісійних матеріалів на основі нових RTP емітерів та плазмонних наночастинок металів з подальшим застосуванням у конструкції високоефективних OLED. Опис етапу Авторами проєкту за звітний період отримані моделі для розрахунку елементів матриці спін-орбітального зв’язку для складних металевих та елементо-органічних напівпровідників в рамках методу само-узгодженого поля у повному активному просторі конфігураційної взаємодії. Проведено моделювання та оптимізацію оптичних характеристик плазмонних наночастинок срібла різного розміру та геометричної форми. Встановлено, що зміна розміру наночастинок призводить до перерозподілу електричного поля по поверхні, а максимальне його напруження припадає на гострі вершини частинок. Проведено дослідження композиційного матеріалу, що містить випадково диспергований ансамбль еліпсоїдних наночастинок однакової та різної форми та розмірів в органічній напівпровідниковій матриці. Показано, що зміна показника заломлення органічної напівпровідникової матриці в основному впливає на величину перерізу розсіювання ансамблю диспергованих у ній еліпсоїдних наночастинок. Проведено моделювання характеристики транспортування електричних носіїв в експериментально сформованому OLED в архітектурі якого наявні квантові ямами. Досліджено вплив ширини ями, кількості квантових ям на розподіл носіїв в них. Одновимірне стаціонарне рівняння Шредінгера використано для розрахунку дискретних рівнів електронів і дірок у квантових ямах. Спостерігається сильна локалізація дискретних електронних та діркових рівнів у квантових ямах, що відповідає значному збільшенню модуля хвильових функцій усередині цих ям. Встановлено, що для збільшення енергії дискретних рівнів необхідно формувати ширину квантових ям менше 5 нм, та підбирати емітерний органічний напівпровідник з низьким значенням ефективної маси носіїв заряду. Створенні методом вакуумного осадження OLED з використанням структури MQW не виявили зниження квантової ефективності при високих робочих напругах, що є характерною проблемою для традиційних OLED зокрема, що використовують архітектуру гість-господар. Опис продукції Автори роботи Булавінець Тетяна Олександрівна Дева Лілія Ростиславівна Кузик Наталія Ігорівна Лаврів Назар Андрійович Мінаєва Валентина Олександрівна Стецина Артем Андрійович Фітьо Володимир Михайлович Яремчук Ірина Ярославівна Додано в НРАТ 2024-12-11 Закрити