Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0224U033022, (0124U004077) , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізико-хімічні аспекти формування низьковимірних структур у системі Ag–As–Sb–S для функціональної електроніки Назва етапу роботи Виконання комплексу робіт з отримання склоподібних і кристалічних матеріалів Ag–As–Sb–S та проведення фізичних досліджень Керівник роботи Гомоннай Олександр Васильович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 16-12-2024 Організація виконавець Інститут електронної фізики Національної академії наук України Опис роботи Метою проєкту є з’ясування умов формування напівпровідникових нанокристалів у склоподібних і тонкоплівкових матеріалах системи Ag–As–Sb–S та встановлення можливостей модифікації їх параметрів зміною технологічних режимів одержання та дією лазерного випромінювання, з’ясування особливостей фотоструктурних та фотохімічних ефектів у гетерофазних композитах і дослідження електричних та оптичних характеристик монокристалічних, аморфних та композитних матеріалів системи Ag–As–Sb–S. Опис етапу Проєкт спрямований на з’ясування фізико-хімічних аспектів отримання композитів з напівпровідниковими нанокристалами у склах і плівках системи Ag–As–Sb–S та модифікації їх параметрів зміною режимів одержання та зовнішніми факторами. Вдосконаленням технологічних процесів отримано скла (As2S3)1-xAgx з 0.01 ≤ x ≤ 0.2 і досліджено їх фізичні властивості. Показано, що зі збільшенням вмісту Ag у склах Agx(As2S3)1-x оптична ширина забороненої зони та енергія одиночного осцилятора зменшуються, енергія дисперсії зростає, а ступінь іонності зв’язку практично не змінюється. Методом раманівського розсіювання вперше виявлено фотоокислення скла As2S3:Ag (x  0.04) під дією видимого світла (532 нм) з густиною потужності 40 кВт/см2, що проявляється у появі в спектрах піків As2O3. Фотоокисленню сприяє наявність Ag у структурі скла, що зменшує його жорсткість, або ж підсилення фотохімічної реакції внаслідок плазмонної взаємодії падаючого світла з залишковими ультрамалими наночастинками Ag, присутніми у зразку. Встановлено, що додавання Ag до Sb2S3 веде до утворення полікристалічного двофазного сплаву Sb2S3–AgSbS2, що підтверджено рентгено¬структурним і енергодисперсійним аналізом та незначною трансформацією краю поглинання порівняно з Sb2S3. Методом напрямленої кристалізації вирощено монокристали Ag3AsS3.і Ag3SbS3, досліджено методами раманівської спектроскопії та спектро¬еліпсометрії, визначено дисперсію показника заломлення. Вирощено монокристал Ag3As0.8Sb0.2S3, проведено його структурні й еліпсометричні дослідження. З’ясовано, що при використанні теорії функціоналу густини для опису кристалів типу Ag3AsS3 поєднання підходу DFT/GGA з дисперсійною поправкою дає найбільш прийнятні результати в порівнянні з експериментом для Ag3AsS3, при цьому відхилення від визначених величин параметрів гратки не перевищує 3%. Найточніший результат, зокрема значення ширини забороненої зони 2.08 еВ, отримано при застосуванні параметра Хаббарда одночасно для d-орбіталей атомів Ag та p-орбіталей атомів S Опис продукції Автори роботи Ажнюк Юрій Миколайович Бабука Тетяна Ярославівна Войнарович Іван Миколайович Кришеник Володимир Михайлович Лопушанський Василь Володимирович Погодін Артем Ігорович Додано в НРАТ 2024-12-16 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Гомоннай Олександр Васильович. Фізико-хімічні аспекти формування низьковимірних структур у системі Ag–As–Sb–S для функціональної електроніки. (Етап: Виконання комплексу робіт з отримання склоподібних і кристалічних матеріалів Ag–As–Sb–S та проведення фізичних досліджень). Інститут електронної фізики Національної академії наук України. № 0224U033022
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18