Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0224U033340, (0123U102785) , Науково-дослідна робота Назва роботи Ієрархічне нанорозмірне плазмове текстурування кремнієвих пластин для сонячної енергетики майбутнього Назва етапу роботи Розробка, дослідження та оптимізація конструкції внутрішнього оснащення для мінімізації зменшення часу життя неосновних носіїв заряду в результаті модифікації поверхні кремнієвих пластин до стану чорного кремнію з урахуванням теоретичного аналізу та досліджень структури й складу поверхні структурованих пластин. Теоретичне дослідження та комп’ютерне моделювання процесів у приелектродному шарі об’ємного заряду. В тому числі, співвиконавець: Розробка, дослідження і оптимізація конструкції внутрішнього оснащення вакуумно-технологічної камери та виготовлення джерела автоматичного зміщення потенціалу підкладки для мінімізації зменшення часу життя неосновних носіїв заряду в результаті модифікації поверхні кремнієвих пластин до стану чорного кремнію. Керівник роботи Сидоренко Сергій Іванович, д.ф.-м.н. Дата реєстрації 25-12-2024 Організація виконавець Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського" Опис роботи Мета проведення наукової роботи полягає в дослідженнях, спрямованих на розробку високопродуктивних екологічно чистих процесів іонно-плазмового ієрархічного дворівневого нанорозмірного текстурування поверхні мульти- та монокристалічних кремнієвих пластин для досягнення коефіцієнтів відбиття енергії сонячного випромінювання на рівні 1 - 3 % зі збереженням часу життя неосновних носіїв заряду після батутної обробки, незалежно від орієнтації кристалографічних осей кремнію. Опис етапу Здійснено теоретичне дослідження та комп’ютерне моделювання процесів у приелектродному шарі об’ємного заряду.Розробка, дослідження та оптимізація конструкції внутрішнього оснащення для мінімізації зменшення часу життя неосновних носіїв заряду в результаті модифікації поверхні кремнієвих пластин до стану чорного кремнію з урахуванням теоретичного аналізу та досліджень структури й складу поверхні структурованих пластин. В тому числі, співвиконавець: Розробка, дослідження і оптимізація конструкції внутрішнього оснащення вакуумно-технологічної камери та виготовлення джерела автоматичного зміщення потенціалу підкладки для мінімізації зменшення часу життя неосновних носіїв заряду в результаті модифікації поверхні кремнієвих пластин до стану чорного кремнію. Розроблена та досліджена оптимальна конструкція тримача підкладок, що при текстуруванні до стану чорного кремнію забезпечує відсутність забруднення поверхні пластин матеріалом тримача. Встановлені параметри іонно-плазмового потоку в дворозрядній системі, за яких мінімізовано зменшення часу життя неосновних носіїв заряду. Виконані теоретичні дослідження та моделювання процесів взаємодії низькоенергетичних іонних потоків високої густини з поверхнею напівпровідникового зразка та процесів у приелектродній зоні об’ємного заряду - для напрацювання рекомендацій щодо оптимізації процесів батутної модифікації його поверхні. Підготовлено анотований звіт та проміжний звіт за етап. В тому числі, співвиконавець розробив та дослідив оптимальну конструкцію тримача підкладок, що при текстуруванні до стану чорного кремнію забезпечує відсутність забруднення поверхні пластин матеріалом тримача. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2024-12-25 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Сидоренко Сергій Іванович. Ієрархічне нанорозмірне плазмове текстурування кремнієвих пластин для сонячної енергетики майбутнього. (Етап: Розробка, дослідження та оптимізація конструкції внутрішнього оснащення для мінімізації зменшення часу життя неосновних носіїв заряду в результаті модифікації поверхні кремнієвих пластин до стану чорного кремнію з урахуванням теоретичного аналізу та досліджень структури й складу поверхні структурованих пластин. Теоретичне дослідження та комп’ютерне моделювання процесів у приелектродному шарі об’ємного заряду. В тому числі, співвиконавець: Розробка, дослідження і оптимізація конструкції внутрішнього оснащення вакуумно-технологічної камери та виготовлення джерела автоматичного зміщення потенціалу підкладки для мінімізації зменшення часу життя неосновних носіїв заряду в результаті модифікації поверхні кремнієвих пластин до стану чорного кремнію.). Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського". № 0224U033340
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18