Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0225U000260, (0124U003809) , Науково-дослідна робота Назва роботи Генерація та рекомбінація нерівноважних носіїв заряду в сполуках GeSn Назва етапу роботи Фотопровідність сполук GeSn. Створення нових експериментальних засобів дослідження фотопровідності при модульованому збудженні та визначення функції густини станів сполук GeSn Керівник роботи Кондратенко Сергій Вікторович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 08-01-2025 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис роботи Встановлення перебігу процесів рекомбінації носіїв заряду і переносу енергії фотозбудження в сполуках GeSn, що дозволить набути фундаментальні знання, необхідні для прикладного застосування в оптоелектроніці для реєстрації випромінювання ближнього інфрачервоного діапазону. Будуть створені наукові основи керування часовими і спектральними характеристиками фоточутливості залежно від вмісту олова, ступеня структурного розупорядкування, величин деформацій, наявності глибоких рівнів дефектів. Опис етапу Мета проєкту - встановлення перебігу процесів рекомбінації носіїв заряду і переносу енергії фотозбудження в сполуках GeSn, що дозволить набути фундаментальні знання, необхідні для прикладного застосування в оптоелектроніці для реєстрації випромінювання ближнього інфрачервоного діапазону. Будуть створені наукові основи керування часовими і спектральними характеристиками фоточутливості залежно від вмісту олова, ступеня структурного розупорядкування, величин деформацій, наявності глибоких рівнів дефектів. Основні завдання Проєкту: (1) встановити механізми релаксації фотозбудження в сполуках різного компонентного складу і визначити характер їх зміни при збільшенні вмісту олова; (2) встановити основні кореляції між морфологією (структурою) матеріалів та їх здатністю реєструвати інфрачервоне випромінювання в діапазоні 780-4000 нм; (3) розробити прямозонний напівпровідник з високою поглинальною здатністю та фотовідгуком в інфрачервоному діапазоні; (4) визначити функцію густину станів в забороненій зоні та її взаємозв’язок зі структурою/ морфологією матеріалу; (5) встановити основні параметри центрів прилипання та рекомбінації і визначити їх роль при формуванні фотовідгуку на інфрачервоне збудження; (6) визначити вплив сегрегації олова на поверхні плівок та механічних деформацій на просторовий розподіл поверхневого потенціалу та час життя фотогенерованих носіїв заряду; (7) дослідити можливість застосування тонких плівок на основі гетероструктур GeSn/Ge/Si у фотодетекторах. Опис продукції Автори роботи Даценко Олександр Іванович Кованжі Петро Олександрович Малюта Сергій Васильович Яблочкова Катерина Сергіївна Додано в НРАТ 2025-01-08 Закрити