Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0225U000266, (0122U000448) , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження фізичних властивостей гетероструктур на основі ван-дер-ваальсових поверхонь з графітом і графеном для оптоелектроніки Назва етапу роботи Оптимізація технологічних процедур на основі отриманих експериментальних результатів. Побудова та аналіз фізичних моделей, що описують властивості отриманих наногетеростроуктур. Оцінка основних параметрів фотоелектронних пристроїв для оптоелектроніки. Керівник роботи Ковалюк Захар Дмитрович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 08-01-2025 Організація виконавець Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства імені І. М. Францевича Національної академії наук України Опис роботи Cинтез та вирощування шаруватих напівпровідників А3В6, отримання шарів графену і цих кристалів нанорозмірної товщини та створення на їх основі фоточутливих гетероструктур для оптоелектроніки Опис етапу Розглянута технологія виготовлення та приведені результати досліджень нових, перспективних для електроніки напівпровідникових матеріалів та структур: гетеропереходи графен/p-GaSe/n-In2Se3/графен, p-CuFeO2/n-InSe, n-NiFe2O4/n-InSe та n-Fe2O3/p-InSe; нанострічки InxSey у матриці з одностінних вуглецевих нанотрубок; композитні матеріали із суміші порошків напівпровідника InSe та терморозширеного графіту; графітові плівки, отримані малюванням на папері та вакуумним осадженням на підкладки з InSe та SiO2. Опис продукції Автори роботи Боледзюк Володимир Богданович Водоп’янов Володимир Миколайович Камінський Василь Михайлович Кудринський Захар Русланович Мінтянський Ілля Васильович Савицький Петро Іванович Ткачук Іван Георгійович Додано в НРАТ 2025-01-08 Закрити
НДДКР ОК
2
Керівник: Ковалюк Захар Дмитрович. Дослідження фізичних властивостей гетероструктур на основі ван-дер-ваальсових поверхонь з графітом і графеном для оптоелектроніки. (Етап: Оптимізація технологічних процедур на основі отриманих експериментальних результатів. Побудова та аналіз фізичних моделей, що описують властивості отриманих наногетеростроуктур. Оцінка основних параметрів фотоелектронних пристроїв для оптоелектроніки.). Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства імені І. М. Францевича Національної академії наук України. № 0225U000266
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16