Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0225U001247, (0123U100485) , Науково-дослідна робота Назва роботи Напівпровідникові матеріали з наноструктурованими поверхнями для нових засобів зв’язку, інфрачервоного бачення та інформаційних технологій Назва етапу роботи Напівпровідникові матеріали з наноструктурованими поверхнями для нових засобів зв’язку, інфрачервоного бачення та інформаційних технологій Керівник роботи Бєляєв Олександр Євгенійович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 28-01-2025 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис роботи Метою роботи є розробка технологій гібридних структур на основі напівпровідників з наноструктурованими поверхнями та їх дослідження з метою застосувань у новітніх засобах зв’язку, системах інфрачервоного бачення та інформаційних технологій. Опис етапу Досліджено нелінійні ефекти резонансної взаємодії інтенсивних та спектрально вузьких терагерцових (ТГц) імпульсів із плазмонними коливаннями двовимірного електронного газу у багато-затворних структурах на основі AlGaN/GaN в рамках ТГц зонд-накачка спектроскопії з використанням лазера на вільних електронах. Якісні та кількісні пояснення експериментальних результатів були отримані в рамках теоретичного підходу, заснованого на кінцево-різницевому моделюванні у часовій області рівнянь Максвелла в поєднанні з рівняннями транспорту електронів в рамках гідродинамічної моделі в'язкої рідини, що включає непружний механізм електрон-опт. фононного розсіювання. Розглянуто сильну взаємодію між плазмонами графену та поверхневими оптичними фононами полярної підкладки. Запропоновано метод оптимізації плазмонних характеристик таких поверхневих рельєфно-фазових періодичних структур, що мають приладові застосування, який дозволяє збільшити вихід придатних виробів (від 30% до майже 60%) при їх виготовленні методом інтерференційної літографії з використанням халькогенідних фоторезистів. Методом інтерференційної фотолітографії з використанням халькогенідного фоторезисту виготовлені експериментальні зразки плазмонних структур на основі Au нанодротів з електричними контактами та досліджені їх морфологічні, оптичні та електричні характеристики. Розроблені багатошарові конструкції ІЧ маскуючих покриттів, що дозволяють знизити температурний контраст об’єкта маскування не менше ніж у 1.5 – 2 рази, що відповідає прогнозованому зменшенню відстані виявлення об’єкта на 33 %, що є перспективним для практичного використання з метою ІЧ маскування військової техніки.   Опис продукції Автори роботи Індутний Іван Захарович Калюжний Владислав Віталійович Кондратенко Ольга Сергіївна Коротєєв Вадим В'ячеславович Косуля Олександр Валерійович Кочелап В'ячеслав Олександрович Кухтарук Сергій Миколайович Литвин Петро Мар'янович Лунько Тетяна Сергіївна Лящук Юрій Миколайович Мамикін Сергій Васильович Мамонтова Ірина Борисівна Мельник Віктор Павлович Минько Віктор Іванович Ніколенко Андрій Сергійович Насєка Юрій Миколайович Оберемок Олександр Степанович Райчев Олег Едуардович Романюк Володимир Романович Соколов Валерій Миколайович Стрельчук Віктор Васильвич Тимочко Микола Дмитрович Федулов Віктор Васильович Штикало Олександр Вікторович Додано в НРАТ 2025-01-28 Закрити