Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0225U001469, (0122U000935) , Науково-дослідна робота Назва роботи Анізотропні фосфорвмісні халькогеніди для нанорозмірної електроніки на основі зв'язку між фероїчними властивостями та провідністю Назва етапу роботи Анізотропні фосфорвмісні халькогеніди для нанорозмірної електроніки на основі зв'язку між фероїчними властивостями та провідністю Керівник роботи Височанський Юліан Мироновим, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 01-02-2025 Організація виконавець Державний вищий навчальний заклад "Ужгородський національний унiверситет" Опис роботи Метою виконання проєкту є отримання нових знань про взаємозв’язок особливостей електронної конфігурації металів-катіонів фосфорвмісних халькогенідних сполук MM’P2X6 (M, M’ = Sn, Pb, Ge, Ag, Cu, In, Bi, Cr, Fe, Mn, Ni, Cd; X = S, Se, Te) і станів дипольного та спінового впорядкування в різних за хімічним складом та вимірністю кристалічних гратках, структурних моношарах і гетероструктурах. Вивчення природи хімічного зв’язку в досліджуваних матеріалах для керованого впливу (шляхом легування, інтеркаляції, відхилень від стехіометрії та прикладання зовнішніх полів) на функціональні характеристики досліджуваних сполук, специфіку структурних фазових переходів та перебудову електронних станів при переходах з напівпровідникового в металевий стан. Опис етапу  Проведені теоретичні та експериментальні дослідження фосфорвмісних халькогенідних монокристалів MM’P2X6 (M, M’ - Ag, Cu, In; X - S, Se), які перебувають в фазах зі спонтанною диполь-спіновою поляризацією та мають переходи з напівпровідникового в металевий стан. Досліджені прояви електрон-електронних та електрон-фононних взаємодій, розмірних ефектів у ван-дер-ваальсових наношарових кристалах і гетероструктурах, вивчені їхні електронні і фононні спектри, сегнетоелектричні, напівпровідникові і термодинамічні властивості; встановлені закономірності дипольного та спінового упорядкування. Побудовані фазові діаграми фероїків MM’P2X6 в залежності від хімічного складу і впливу зовнішніх полів. Визначені функціональні параметри гетероструктур придатних для розробки нових бістабільних чи мультистабільних функціональних елементів електроніки. Опис продукції Автори роботи ЄВИЧ Руслан Методійович ГЛУХОВ Костянтин Євгенійович Гриць Вячеслав Юрійович Когутич Антон Антонович Любачко Віталій Юрійович Медулич Микола Михайлович Молнар Олександр Олександрович Додано в НРАТ 2025-02-01 Закрити