Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0225U001639, (0121U110388) , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні властивості багатодолинних напівпровідників і світлодіодних структур у радіаційних, теплових і деформаційних полях Назва етапу роботи Дослідження електрофізичних властивостей компенсованих кристалів n-Ge. Вивчення особливостей видимої люмінесценції cвітлодіодів ультрафіолетового випромінювання на основі твердих розчинів нітриду індію-галію. Керівник роботи Гайдар Галина Петрівна, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 04-02-2025 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень Національної академії наук України Опис роботи Встановлення закономірностей змін фізичних властивостей багатодолинних напівпровідників (кремнію, германію), бінарних і трьохкомпонентних напівпровідникових світлодіодних структур у радіаційних, теплових і деформаційних полях. Опис етапу  Виявлено, що опромінення електронами з енергією 2МеВ світлодіодів InGaN призводить до зростання диференційного опору та підвищення бар’єрного потенціалу, зменшення концентрації носіїв у квантових ямах. На ВАХ в інтервалі температур від 77 до 150 K виявлені ділянки від’ємного диференційного опору, а також тонку структуру спектрів випромінювання. У спектрах випромінювання при температурі рідкого азоту, поряд з основною смугою з довжиною хвилі у максимумі 505 нм, виникає додаткова смуга з довжиною хвилі у максимумі 525 нм, походження якої пов’язано із квантуванням енергетичних рівнів квантових ям. В області температур, близьких до кімнатної, існує дублетна структура максимуму рекомбінаційного свічення, яка є наслідком формування фононного повторення основної лінії випромінювання. У межах струмів від 1 до 20 мA виникає «голубий зсув» основної лінії випромінювання на 7,2 нм, зумовлений квантуванням енергетичних станів нанорозмірної системи. Різке падіння квантового виходу після струму 5 мA зумовлене переповненням квантових ям та зростанням ролі квазібалістичного перенесення нетермалізованих носіїв над ними. Розроблено і удосконалено способи низькотемпературних вимірювань спектральних, електрофізичних (ВАХ) та експлуатаційних (квантовий вихід) характеристик СД. Запропонована і випробувана технологія опромінення електронами з Еe = 2 МеВ, γ – квантами 60Co, 137Cs. З’ясовано, що GaAsP порівняно з їхніми аналогами GaP – значно радіаційно стійкіші. Досліджено анізотропію польових залежностей гальваномагнітних ефектів у некомпенсованих кристалах р-Ge різних кристалографічних орієнтацій як під впливом деформації, так і без неї. Встановлено, що ізоенергетичні поверхні, які виникають унаслідок направленої деформації, не можуть розглядатись як досконалі еліпсоїди обертання у діапазоні тисків до1 ГПа.У компенсованих кристалах p-Ge показано, що: при монотонному підвищенні тиску польові залежності поперечного магнітотензоопору проявляють не монотонність змін. Опис продукції Автори роботи Єрмольчик Володимир Олександрович Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Литовченко Петро Григорович Макуха Олександр Миколайович Малий Євген Вікторович Пінковська Мирослава Богданівна Петренко Ігор Віталійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Додано в НРАТ 2025-02-04 Закрити