Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0225U002152, (0122U200987) , Науково-дослідна робота Назва роботи Моделювання електронних властивостей гетероструктур та нанокомпонентів на сполуках AIIIBV Назва етапу роботи Моделювання електронних властивостей гетероструктур та нанокомпонентів на сполуках AIIIBV Керівник роботи Тимофєєв Володимир Іванович, д.т.н. Дата реєстрації 21-02-2025 Організація виконавець Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського" Опис роботи Cтворення теоретичних основ (від властивостей нових матеріалів до базових наноструктур та нанокомпонентів) для розробки перспективних напівпровідникових приладів мікро- і наноелектроніки Опис етапу  Актуальність: дослідження властивостей напівпровідникових матеріалів дозволяє оцінити перспективи створення на їх основі твердотільних приладів електроніки. Для проектування і створення перспективних напівпровідникових мікро- і наноприладів актуальною є задача підвищення частотних параметрів та швидкодії. Вирішенню цієї задачі сприяють досягнення технологій мікроелектроніки, застосування нових напівпровідникових матеріалів. Нові можливості відкриває технологія вирощування багатокомпонентних напівпровідникових матеріалів. Багатокомпонентні напівпровідники приваблюють розробників приладів можливістю зміни властивостей матеріалу, які визначаються молярним складом; часткою вкладу його складових. Високий рівень знання властивостей напівпровідникових матеріалів дозволить прогнозувати потенційні можливості їх застосування, а також багатокомпонентних напівпровідників на їх основі (GaInAs, AlInAs, InNAs, InPAs, ...). Дослідження перспективних напівпровідникових сполук необхідні для подальшого розвитку технологій для створення електронних компонентів та надшвидкодіючих пристроїв електроніки. Мета роботи: створення теоретичних основ (від властивостей нових матеріалів до базових наноструктур та нанокомпонентів) для розробки перспективних напівпровідникових приладів мікро- і наноелектроніки; Очікувані результати: отримання нових наукових знань, результатом яких можуть стати нові теорії, методи і математичні моделі, реалізовані у відповідних програмних продуктах для інформаційного забезпечення процесу проєктування компонентів мікро- і наноелектроніки. Очікується, що результати будуть новими і відповідати сучасному рівню досліджень з даної проблематики._ Опис продукції Автори роботи Кожевнікова Таїсія Олександрівна Саурова Тетяна Азадівна Тимофєєв Володимир Іванович Додано в НРАТ 2025-02-21 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Тимофєєв Володимир Іванович. Моделювання електронних властивостей гетероструктур та нанокомпонентів на сполуках AIIIBV. (Етап: Моделювання електронних властивостей гетероструктур та нанокомпонентів на сполуках AIIIBV). Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського". № 0225U002152
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14