Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0225U002171, (0122U000129) , Науково-дослідна робота Назва роботи Пошук оптимальних умов синтезу наноструктур на поверхні напівпровідників А3В5, А2В6 і кремнію для фотоніки і сонячної енергетики Назва етапу роботи Контроль якості та дослідження впливу дефектів на якість наноструктур Керівник роботи Сичікова Яна Олександрівна, Доктор технічних наук Дата реєстрації 23-02-2025 Організація виконавець Бердянський державний педагогічний університет Опис роботи Розробити відтворювану і ефективну методику синтезу наноструктур на поверхні напівпровідників групи А3В5, А2В6, кремнію, дослідити їхні оптичні, електрохімічні та структурні властивості, а також становити вплив дефектів на морфологію поверхневих шарів Опис етапу  У ході дослідження було розроблено ефективні методики синтезу наноструктур на поверхні напівпровідників для застосування у фотоніці та сонячній енергетиці. Визначено оптимальні умови формування наноструктур методом електрохімічного та фотоелектрохімічного травлення, що дозволило досягти високої відтворюваності та стабільності отриманих матеріалів. Досліджено вплив дефектів на морфологію наноструктур та розроблено математичні моделі, що дозволяють прогнозувати їхні характеристики. Отримані результати сприяють підвищенню ефективності сонячних елементів та фотонних пристроїв, зниженню виробничих витрат і вдосконаленню контролю якості наноматеріалів. Розроблено методики пасивації та стабілізації поверхневих властивостей наноструктур, що забезпечує їхню довговічність та надійність у промислових умовах. Практичне застосування матеріалів включає їх використання у військових технологіях (сенсори загроз, нічне бачення) та відновлюваній енергетиці. Опис продукції Автори роботи Цибуляк Наталя Юріївна Додано в НРАТ 2025-02-23 Закрити