Реєстраційний номер
0225U002273,
(0124U002531)
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Терагерцова оптоелектроніка в нових низькорозмірних вузькощілинних напівпровідникових наноструктурах
Назва етапу роботи
Фундаментальні дослідження в області ТГц оптоелектроніки.
Керівник роботи
Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна, Доктор фізико-математичних наук
Сизов Федір Федорович, д.ф.-м.н.
Дата реєстрації
27-02-2025
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Опис роботи
Головною метою запропонованого Партнерства є підтримка та подальший розвиток мережі між німецькою та українською групами, створені в попередній період програми. Мережа поєднує їх досвід, призводить до обміну ноу-хау, забезпечує доступ до додаткового доступного обладнання та матеріалів, розширює технічні можливості консорціуму та покращує освіту залучених молодих учених у актуальній галузі сучасної науки. Наукові цілі проекту передбачають фундаментальні дослідження в області ТГц оптоелектроніки та оптики. Зокрема, ми плануємо дослідити фізику нещодавно спостережуваної ТГц гігантської фотопровідності в квантових точкових контактах, що працює в тунельному режимі, і ТГц храповий ефект у 2D системах з площинними надгратками. Оскільки це нові галузі, експерименти будуть супроводжуватися теорією. Подальшою метою є розробка нових ТГц детекторів і системи бачення в реальному часі. Проект зосереджений на системах на основі HgTe. Аналіз і характеристика нових топологічних ізоляторів, які, у свою чергу, забезпечують важливий зворотний зв’язок для технологічно орієнтованих груп, є важливою метою нашої пропозиції. Щоб отримати більш повну картину досліджуваних ТГц оптико-електронних явищ, ми також досліджуватимемо моно та двошаровий графен, інкапсульований у h-BN. Графен, як і HgTe в топологічному режимі, характеризується діраківським типом зонної дисперсії.
Опис етапу
Робота була спрямована на виконання фундаментальних досліджень в області ТГц оптоелектроніки та оптики. Об’єктом дослідження є нові властивості матеріалів, які дозволять створювати нові високоефективні оптоелектронні та оптичні прилади. Метою роботи є розробка нових технологій напівпровідникових структур з подальшим створенням сучасних приладів оптики та оптоелектроніки, нових ТГц детекторів і систем бачення. Методи дослідження – це комплексний підхід, який застосовувався у використанні методів і засобів отримання напівпровідникових матеріалів і систем сучасної оптоелектроніки.
Опис продукції
Автори роботи
Додано/оновлено в НРАТ
2025-02-27
