Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0225U002519, (0122U002642) , Науково-дослідна робота Назва роботи Модифікація структурної досконалості та упорядкування комплексу власних точкових дефектів в кристалах сполук A2B6 шляхом удосконалення методик їх вирощування і термообробки. Назва етапу роботи Модифікація структурної досконалості та упорядкування комплексу власних точкових дефектів в кристалах сполук A2B6 шляхом удосконалення методик їх вирощування і термообробки. Керівник роботи Бояринцев Андрій Юрійович, Доктор технічних наук Дата реєстрації 18-03-2025 Організація виконавець Інститут сцинтиляційних матеріалів Національної академії наук України Опис роботи Визначити механізми утворення в кристалах сполук A2B6 структурних неоднорідностей електрично заряджених дефектів та макронеоднорідностей, що погіршують оптичні та електричні характеристики напівпровідників. За допомогою технологічних прийомів визначити можливість контрольованого впливу на концентрації дефектів та зарядові стани і оптимізувати параметри напівпровідникових детекторних елементів. Опис етапу  Визначено умови синтезу та розроблено лабораторні методики синтезу напівпровідникових сполук ZnSe, ZnTe, CdTe з елементарних компонентів, що забезпечили отримання матеріалів високої хімічної чистоти, однорідності стехіометричного складу та високого виходу цільових продуктів. Визначено оптимальні умови отримання шихти Cd1-xZnxTe (х=0,05÷0,15) та вирощування напівпровідникових кристалів ZnSe, CdTe, ZnTe і Cd(Zn)Te високої хімічної чистоти та структурної досконалості методами Бриджмена (VBM) з розплаву в вертикальній печі та рухомого нагрівача (THM) з розплаву в розчині телуру. Проведено експерименти з вирощування методом THM – кристалів CdTe та Cd(Zn)Te, а також методом VBM – кристалів Cd(Zn)Te, ZnTe та ZnSe. Розроблено лабораторні методики вирощування та термообробки кристалів CdTe та Cd(Zn)Te. Визначено оптимальні умови різання та полірування напівпровідникових кристалів з досягненням мінімальних показників шорсткості поверхні та товщини порушеного шару. Досліджено структурну досконалість зразків одержаних кристалів методами рентгеноструктурного аналізу, оптичної ІЧ мікроскопії, хімічного травлення. Визначено концентрації мікро- та макродефектів в кристалічних зразках CdTe, Cd(Zn)Te і ZnSe в залежності від умов їх отримання. Визначено умови й механізми утворення електрично заряджених дефектів та структурних неоднорідностей в цих кристалах, що погіршують параметри напівпровідникових детекторів. Проведено дослідження оптичних спектрів пропускання в видимому та ІЧ діапазонах, вольт-амперних характеристик, електричного опору та енергетичного розділення дослідних зразків детекторних елементів в залежності від умов їх отримання та обробки. Опис продукції Автори роботи Єлісєєв Дмитро Анатолійович Єлісєєва Оксана Володимирівна Ємельянов Олексій Юрійович Єфімова Світлана Леонідівна Алексєєв Вадим Дмитрович Асланов Андрій Валерійович Бараннік Сергій Віталійович Боровий Ігор Анатолійович Бояринцев Андрій Юрійович Бояринцева Яніна Анатоліївна Варич Андрій Григорович Ващенко Ольга Валеріївна Волокітін Юрій Олександрович Галкін Сергій Миколайович Григорова Ганна Володимирівна Гриньов Борис Вікторович Гриппа Олександр Юрійович Губенко Катерина Олександрівна Дацько Юрій Миколайович Дрюк Таїса Миколаївна Дубовик Олександр Михайлович Дьомін Олександр Вадимович Жмурін Петро Миколайович Завора Людмила Миколаївна Зосим Дмитро Іванович Кавок Наталія Сергіївна Караваєва Наталія Леонідівна Касян Наталя Олександрівна Клочков Володимир Кирилович Ковальчук Сергій Миколайович Колесніков Олександр Володимирович Колесникова Олена Віталіївна Косінов Василь Вікторович Креч Антон Владиславович Лазарєв Ігор Вікторович Лалаянц Олександр Іванович Лисецький Лонгін Миколайович Логвин Павло Олегович Лопатін Артем Іванович Міненко Сергій Сергійович Максимчук Вікторія Валеріївна Максимчук Павло Олегович Мартиненко Євгенія Вікторівна Махота Сергій Володимирович Мельник Ірина Олексіївна Нагорняк Володимир Теодорович Назаренко Микола Вікторович Непокупна Тетяна Анатоліївна Новгородцев Володимир Олегович Онищенко Геннадій Михайлович Ополонін Олександр Дмитрович Пилипенко Ігор Юрійович Полупан Ярослава Ігорівна Пономаренко Тамара Володимирівна Попкова Олена Володимирівна Ребров Олександр Леонідович Реброва Надія Василівна Реброва Тетяна Павлівна Рибалка Ірина Анатоліївна Ропакова Ірина Юріївна Сєдих Ольга Олегівна Сібілєв Микола Львович Сібілєва Тетяна Григорівна Сізов Олег Вікторович Самойлов Олександр Миколайович Свєшнікова Ірина Едуардівна Солодовнікова Лідія Миколаївна Сосницька Ольга Олександрівна Тінькова Віра Сергіївна Тавровський Ігор Ігорович Таранюк Володимир Іванович Тарасенко Олег Анатолійович Тарвід Станіслав Ігорович Третьяк Сергій Омелянович Тупіцина Ірина Аркадіївна Турбаба Дмитро Миколайович Філатов Юрій Данилович Хромюк Іларіон Федорович Чергинець Віктор Леонідович Шпилинська Олександра Леонідівна Штих Ігор Олександрович Додано в НРАТ 2025-03-18 Закрити