Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0225U004307, (0123U102709) , Науково-дослідна робота Назва роботи Оптично- та акустично-контрольовані пристрої для керування терагерцовим випромінюванням на основі кристалічних і нанокомпозитних матеріалів Назва етапу роботи Вимірювання раманівських спектрів створених кристалічних нанокомпозитів та розрахунок динаміки ґратки кристалів Bi12GeO20 та Bi12SiO20. Створення макетів модуляторів ТГц випромінювання та їх дослідження. Розробка акустично-керованого модулятора ТГц випромінювання на основі кристалів Bi12GeO20 чи Bi12SiO20. Керівник роботи Андрущак Анатолій Степанович, Доктор технічних наук Дата реєстрації 28-11-2025 Організація виконавець Національний університет "Львівська політехніка" Опис роботи Метою проєкту є дослідження впливу оптично спроектованих дифракційних граток і електрофізичних параметрів напівпровідникових підкладок на параметри оптично керованого модулятора терагерцового випромінювання, а також вплив на модуляцію цього випромінювання при керуванні хвилями електронної густини за рахунок поверхневих акустичних хвиль. Опис етапу Опрацьовано технологічні умови і створено нанокомпозитні матеріали на основі матриць Si та нанокристалів заповнення Bi12SiO20 та Bi12GeO20. Розроблено технологію отримання нанокомпозитів Si:BSO та Si:BGO. Утворення кристалічної структури BGO (BSO) у порах матриці підтверджено рентгеноструктурними дослідженнями. Отримано поляризовані раманівські спектри кристалів Bi12SiO20 та Bi12GeO20, систематизовані за незвідними представленнями, та розраховано з перших принципів поляризовані раманівські спектри Bi12SiO20 та Bi12GeO20. Поміряно і проаналізовано раманівські спектри нанокомпозитного матеріалу Si:Bi12GeO20. Проведено розрахунок дифракційної картини на довжині хвилі 130 ГГц за періодичного освітлення пластини Ge випромінюванням оптичного діапазону. Виконано моделювання фотонного кристала, утвореного стовбцями кремнію субміліметрової товщини, визначено спектр частот кристала, виявлено заборонену зону шириною 120 ГГц в області частот від 560 до 680 ГГц. Створено стенд для вимірювання фотогенерації носіїв в досліджуваних матеріалах і проведено вимірювання фотопровідності у матеріалах Si, Ge, Se, Bi12SiO20 та Bi12GeO20. Детально вивчено властивості Si, Ge, Bi12GeO20 (BGO), Bi12SiO20 (BSO), тонких плівок селену Se та оксидів індію та олова (ITO) у діапазоні частот 85-146 ГГц, виміряно спектральні функції пропускання і відбивання в цій ділянці спектру, визначено оптичні сталі матеріалів в ТГц ділянці спектру за амплітудними і фазовими спектральними залежностями S-параметрів. Досліджено вплив товщини кристалу Ge і інтенсивності засвітки на фотомодуляцію випромінювання із частотою 130 ГГц у геометрія відбивання і пропускання. Створено макети модуляторів випромінювання ТГц та міліметрового діапазонів. Розроблені модулятори за глибиною модуляції та швидкодією не поступаються закордонним аналогам. Опис продукції Автори роботи Андрущак Назарій Анатолійович Щур Ярослав Йосифович Адамів Володимир Теодорович Бендак Андрій Васильович Венгрин Богдан Ярославович Балабан Оксана Василівна Данилов Андрій Богданович Додано в НРАТ 2025-11-28 Закрити