Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0225U005038, (0124U003608) , Науково-дослідна робота Назва роботи Розвиток і характеризація МДН польових транзисторів на базі двовимірних MoS2 шарів Назва етапу роботи Дослідження параметрів тестових МДНПТ приладів. Вивчення ефекту ВЧ плазми на тестові МДН ПТ прилади Керівник роботи Назаров Олексій Миколайович, д.ф.-м.н. Дата реєстрації 24-12-2025 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис роботи Виготовлення польового транзистора на базі двовимірної (2D) плівки MoS2 з якісними межами поділу між 2D напівпровідниковою плівкою та діелектричними шарами і мінімальним зарядом в затворному діелектрику. Опис етапу В НДР були проведені дослідження впливу ВЧ плазмової обробки у газовій азотно-водневої суміші та аргоні на електричні і фізико-хімічні властивості надтонких плівок і мікронних шматочків бісульфіту молібдену (MoS2). Показано, що використані плазмові обробки призводять до збільшення напруження у кристалічній гратці структури MoS2, а також значному зменшенню електричного опору тонких мікрокристалічних плівок і мікронних шматочків MoS2. Вплив ВЧ плазмової обробки на сформованою транзисторну структуру MoS2/SiO2 із нанотонким шаром Al2O3/AlOx призводить до збільшення струму в каналі і зменьшення нахилу стік-затворної характеристики польового транзистора, а також до зсуву гистерезисної кривої у бік позитивних напруг, що пов’язано із зменшенням концентрації поверхневих станів на межі поділу MoS2/ Al2O3, і зменьшення позитивного заряду в шарі SiO2. Проведена електрична характеризація польових транзисторів, виготовлених на структурах MoS2/SiO2/Si, з відкритою поверхнею одношарової двовимірної плівки MoS2, закритою поверхнею шаром Al2O3/AlOx, а також структур MoS2/Al2O3/Me, які були виготовлені в Мікроелектронному центрі прогресивних технологій м.Аахена (Німеччина). Визначені основні електричні характеристики отриманих приладів: порогова напруга, підпороговий нахил, максимальний і мінімальний струм в каналі, густину поверхневих і приповерхневих станів на межі поділу MoS2/SiO2. В усіх структурах виявлено гистерезис сток-затворних характеристик, який пов’язаний із захопленням заряду на межі поділу внутрішний діелектрик/MoS2, що свідчить що природа цих поверхневих станів повязана із шаром MoS2. Запропоновано метод визначення рухливості носіїв заряду із одночасного вимірювання ємності структури і струму в каналі, на який не впливає зміна концентрацій носіїв заряду. Надіслана стаття в міжнародний журнал Physica Scripta (Q2), представлені результати в оглядовій доповіді на міжнародному семінарі “Novel (2D) Materials and Their Applications” (February 17-18, 2025, Aachen, Germany) Опис продукції Автори роботи Слободян Олександр Михайлович Гоменюк Юрій Вікторович Тягульський Ігор Петрович Назаров Олексій Миколайович Руденко Тамара Охримівна Кисіль Дмитро Вадимович Додано в НРАТ 2025-12-24 Закрити