Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0226U001429, (0123U100226) , Науково-дослідна робота Назва роботи Гібридні тонкоплівкові сонячні елементи підвищеної ефективності для енергетичної безпеки та сталого розвитку Назва етапу роботи изайн та оптимізація гібридних фото-термоелектричних модулів перетворення сонячної енергії. Керівник роботи Яворський Ростислав Святославович, Дата реєстрації 26-01-2026 Організація виконавець Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника Опис роботи Проєкт передбачає дослідження багатошарових гнучких сонячних модулів II генерації на основі напівпровідників ITO/CdS/CdTe/back contact та оптимізацію ефективності завдяки створенню комбінованої системи через додаткове нанесення планарної термоелектричної структури n-Bi 2 Te 3-y Se y (n-PbTe) / p-Bi 2-x Sb x Te 3 (p-PbSnTe). Фотоелектричні модулі на основі напівпровідників II-VI мають високі значення ККД, можуть бути осаджені на гнучких підкладках, що робить їх мобільними, і досягають рівня 22.5%. Завдяки дешевшій та відтворюваній технології фізичного вакуумного осадження, в одному технологічному циклі можна осаджувати фотоелектричні гетероструктури, а розроблена технологія осадження тонкоплівкових термоелементів на зворотню сторону забезпечить щей термоелектричне перетворення енергії. Така система виконає декілька додаткових функцій: збільшить термін експлуатації фотоелектричної системи, завдяки охолодженню система працюватиме стабільніше, оскільки, як встановлено, нагрівання (високі температури) суттєво знижує ККД фотоелемента та термін його експлуатації, дасть змогу при мінімальній товщині шару спричинити генерування додаткової термоелектрчиної енергії та сприятиме зменшенню викидів тепла в атмосферу. Використана тонкоплівкова технологія, дає змогу отримувати системи малої товщини, які легкі і можуть бути використані в якості покриттів на брезентах, віконних жалюзів, склі, кераміці, тощо. Опис етапу Проєкт передбачає дослідження багатошарових гнучких сонячних модулів II генерації на основі напівпровідників ITO/CdS/CdTe/back contact та оптимізацію ефективності завдяки створенню комбінованої системи через додаткове нанесення планарної термоелектричної структури n-Bi 2 Te 3-y Se y (n-PbTe) / p-Bi 2-x Sb x Te 3 (p-PbSnTe). Фотоелектричні модулі на основі напівпровідників II-VI мають високі значення ККД, можуть бути осаджені на гнучких підкладках, що робить їх мобільними, і досягають рівня 22.5%. Завдяки дешевшій та відтворюваній технології фізичного вакуумного осадження, в одному технологічному циклі можна осаджувати фотоелектричні гетероструктури, а розроблена технологія осадження тонкоплівкових термоелементів на зворотню сторону забезпечить щей термоелектричне перетворення енергії. Така система виконає декілька додаткових функцій: збільшить термін експлуатації фотоелектричної системи, завдяки охолодженню система працюватиме стабільніше, оскільки, як встановлено, нагрівання (високі температури) суттєво знижує ККД фотоелемента та термін його експлуатації, дасть змогу при мінімальній товщині шару спричинити генерування додаткової термоелектрчиної енергії та сприятиме зменшенню викидів тепла в атмосферу. Використана тонкоплівкова технологія, дає змогу отримувати системи малої товщини, які легкі і можуть бути використані в якості покриттів на брезентах, віконних жалюзів, склі, кераміці, тощо. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2026-01-26 Закрити