Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0226U003176, (0124U000760) , Науково-дослідна робота Назва роботи Ефективні нанокристалічні матеріали на основі халькогенідів металів для оптико-електронних систем Назва етапу роботи Розроблення фізико-хімічних основ технології одержання нанокристалічних матеріалів на основі халькогенідів металів (CdTe, CdSe, CdS). Керівник роботи Кашуба Андрій Іванович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 19-03-2026 Організація виконавець Національний університет "Львівська політехніка" Опис роботи Розробка фізико-хімічних основ технології одержання та дослідження енергетичних і оптичних властивостей нанокристалічних сполук халькогенідів металів (CdTe, CdSe, CdS та твердих розчинів на їх основі) для сонячних елементів з високою ефективністю. Опис етапу Проведено теоретичні дослідження нестехіометричних кластерів CdmXn (m≠n, X=Te, Se та S) та отримано положення щілини HOMO–LUMO, енергію зв'язку та електронегативність. Встановлено, що кластери CdmXn з більшим вмістом кадмію (m/n > 1) мають більші середні довжини зв'язків Cd–X. Показано, що розчинник (вода, ацетон або етанол) не впливає на положення щілини HOMO–LUMO, а її значення зростає, коли співвідношення складу m/n прямує до 1. Виявлено, що зразки з m/n ≤ 1 є стабільнішими. Розраховано оптичні властивості наночастинок CdTe у воді та на кварцовій підкладці. Зі зменшенням вмісту CdTe зростають пропускання й відбиття, проте зменшуються показник заломлення та коефіцієнт екстинкції. Отримано діелектричну проникність, відношення густини носіїв до їх ефективної маси та час релаксації. Найменше значення τ відповідає 60% вмісту наночастинок CdTe. За теорією Мі досліджено оптичні властивості наночастинок CdTe розміром (R) від 1 до 100 нм в рідких та твердих матрицях (вакуум, вода та SiO2). При взаємодії світла з малими наночастинками CdTe (R < 30 нм) переважає поглинання, а з великими – розсіювання. Максимальне значення Qext, Qsca та Qabs при λ < 380 нм отримано для наночастинок CdTe з R = 30 нм у воді та при λ > 380 нм для SiO2. Методом хімічного поверхневого осадження отримано плівки CdS на скляних підкладках, а методом магнетронного напилення –плівки CdSe на кварцових підкладках. Встановлено оптимальний склад та нанокристалічну структуру. Ширина оптичної забороненої зони та енергія Урбаха зменшуються зі збільшенням часу осадження плівок. Досліджено властивості гетеропереходу Au/CdTe/CdS/ITO. Максимальна ефективність спостерігається при 600–800 нм. Збільшення товщини CdTe до 4 мкм підвищує густину струму та напругу холостого ходу (понад 1,05 В). Визначено оптимальні товщини шарів: 150–200 нм для контакту, 50–100 нм для CdS та 3–4 мкм для CdTe. Опис продукції Автори роботи Семків Ігор Володимирович Рудиш Мирон Ярославович Яворський Ростислав Святославович Кашуба Наталя Юріївна Дева Лілія Ростиславівна Додано в НРАТ 2026-03-19 Закрити