Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0299U000742, 0199U002795 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження кремнійових наноструктур та можливостей їх технічного застосування Назва етапу роботи Керівник роботи Торчинська Т.В., Дата реєстрації 09-04-2001 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об’єкт дослідження - пористий кремній (ПК). Мета роботи - дослідження механізмів збудження фотолюмінесценції (ФЛ) пористого кремнію та ролі поверхні кремнієвих кристалітів у цьому процесі. Методи дослідження - вимірювання спектрів ФЛ та її збудження (ЗФЛ), ВІМС, РФЕС, ІЧ-поглинання, ЕПР. Проведено дослідження впливу режимів анодування на ФЛ характеристики та хімічний склад ПК. Показано, що спектральне положення смуги ФЛ залежить від режимів виготовлення та від довжини хвилі світла збудження. Спектр ЗФЛ складається з трьох смуг (двох ультрафіолетових та однієї видимої), співвідношення інтенсивностей яких обумовлює його форму. Збільшення часу анодування призводить до зростання загальної інтенсивності ФЛ та інтенсивності видимої смуги збудження. Зростання струму анодування спричиняє зменшення загальної інтенсивності ФЛ, яке не супроводжується зростанням кількості центрів безвипромінювальної рекомбінації, а також призводить до збільшення відносного внеску ультрафіолетових смуг у спектрі ЗФЛ, а також до зр остання внеску диоксиду кремнію в окисний шар на поверхні кремнієвих кристалітів. З’ясовано, що характер змін інтенсивності ФЛ в процесі старіння на повітрі при кімнатній температурі залежить від довжини хвилі світла збудження. Старіння пористих шарів супроводжується двома процесами - десорбцією компонентів електроліту та окисленням. Показано, що зменшення інтенсивності ФЛ при відпалах обумовлено десорбцією деяких речовин з поверхні пористого шару з енергією активації 0,5±0,1 еВ, що супроводжується утворенням центрів безвипромінювальної рекомбінації - обірваних зв’язків окису кремнію. Пропозиції щодо розвитку об’єкта дослідження - використання для створення різних типів сенсорів. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Торчинська Т.В.. Дослідження кремнійових наноструктур та можливостей їх технічного застосування. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0299U000742
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-20