Search academic texts

Information × Registration Number 0300U000858, 0100U004014 , R & D reports Title The investigation of the electrophysical parameters and structural perfection of the Si monocristals growed by means of equipment intended for model-testing under laboratory conditions. popup.stage_title Застосування електрофізичних методів для опрацювання оптимальних режимів кристалізації при використанні електронно-променевого методу БЗП з метою виявлення еффективності очистки монокристалів Si від легуючої домішки і забезпечення однорідності її розподілу в поперечному перерізі зливка. Виявлення структурної досконалості кристалів Si , вирощуваних електронно-променевим методом БЗП. Head Barans'kyj Petro Ivanovych, Registration Date 08-09-2000 Organization Institute of Semiconductor Physics popup.description2 The possibilities of producing monocrystals Si by electron - beam crucible-free zonal melting under above mentioned conditions and some fundamental problems of cristallization physics are studied and discussed. The electrophysical properties of Si monocrystalls, produced by thys method are described. Product Description popup.authors popup.nrat_date 2020-04-03 Close