Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0301U007172, 0194U010760 , Науково-дослідна робота Назва роботи Створення фізико-технологічних основ модифікацій властивостей квантово-розмірних епітаксіальних шарів та гетероструктур на основі сполук GaAs з допомогою іонно-променевої обробки з метою формування планарних елементів та приладів мікро- та опто електроніки. Назва етапу роботи Розробка і створення фізико-технологічних основ модифікацій властивостей квантово-розмірних епітаксіальних шарів і гетероструктур на основі сполук GaAs Керівник роботи Іващук А.В., Дата реєстрації 26-10-2001 Організація виконавець Відкрите акціонерне товариство "Науково-виробниче підприємство "Сатурн" Опис етапу Робота була направлена на розробку транзисторів з великою рухомістю електронів типу НЕМТ, а також створення структур для гетеролазерів. В роботі проведено дослідження фізико-технологічних процесів формування епітаксіальних структур GaAs та квантово-розмірних гетероструктур на основі GaAs методом молекулярно-променевої епітаксії (МПЕ) та модифікації їх властивостей за допомогою променевої обробки з метою форму вання планарних елементів та приладів мікро- та опто електроніки. Виготовлено і досліджено експериментальні зразки шарів, структур і гетеро- структур з двомірним електронним газом на основі GaAs. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити