Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0302U001509, 0100U002618 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження зв'язку спектрометричних властивостей напівпровідникових кристалів CdZnTe з ростовими дефектами. Назва етапу роботи Вирощування і відпал кристалів CdZnTe. Виготовлення експериментальних зразків і вивчення ростових дефектів Керівник роботи Комар В.К., Дата реєстрації 12-03-2002 Організація виконавець НДВ "Оптичнi та конструкцiйнi кристали" НТК "Iнститут монокристалiв" Опис етапу Показано, що специфічні умови вирощування CZT із трикомпонентного розплаву під високим тиском інертного газу визначають формування в кристалах різних структурних дефектів і неоднорідностей, що погіршують характеристики детекторів і знижують вихід кристалічного матеріалу. Установлено прямий зв'язок між формою фронту кристалізації і детекторними характеристиками кристала. В міру придбання границею "розплав-кристал" більш плоскої форми досконалість структури кристалічного матеріалу значно поліпшується, а щільність пір і включень, дислокацій, а також і величина термоупругих напруг падають. Крім того, осьовий і радіальний розподіл Zn стає однорідним. У результаті цей кристал здобуває спектрометричні властивості. Виготовлено партію детекторів на основі CZT кристалів. На контактні поверхні нанесена методом хімічного осадження плівка Au, так що контакти мають омічні властивості. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити