Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0302U001583, 0100U003337 , Науково-дослідна робота Назва роботи Контактні явища в структурах на основі складних сполук напівпровідників А3В5 Назва етапу роботи Дослідження МПЕ в діодах з варизонною активною областю Керівник роботи Аркуша Ю.В., Дата реєстрації 27-03-2002 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дослідження - діоди Ганна з варізонною активною областю на основі INGaAs . Мета роботи - розробити математичну модель міждолинним переносом електронів (МПЕ) у варізонних напівпровідниках. Вивчення основних фізичних процесів, пов'язаних з МПЕ у діодах з варізонною активною областю. Метод дослідження - математичне моделювання на основі розв'язання кінетичного рівняння Больцмана за допомогою зміщення функції розподілу Максвелла-Больцмана. Основні результати - розроблена математична модель МПЕ у варізонних діодах Ганна. Методом усереднення кінетичного рівняння Больцмана з використанням зміщеної функції розподілу Максвелла - Больцмана була отримана система рівнянь, що описує МПЕ у варізонних кристалах. В усіх діодах поширюються заряджені шари. Формування заряджених шарів у діоді при зростанні долі InAs в InGaAs біля анода відбувається швидше, зменьшується довжина "мертвої зони". Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити