Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0302U005005, 0101U002880 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фундаментальні основи процесів формування поверхневих нанорозмірних структур та методів досліджень перспективних матеріалів для потреб енергокомплексу Назва етапу роботи Дослідження статистичних та динамічних характеристик системи Si - адсорбат та залежності параметрів ближнього порядку на поверхні неупорядкованих систем від температури. Керування розвитком морфологічних особливостей на поверхні при іонному бомбардуванні Керівник роботи Находкін М.Г., Дата реєстрації 30-01-2002 Організація виконавець Київський національний унiверситет iм. Тараса Шевченка, кафедра загальної i молекулярної генетики Опис етапу Розвинуто метод дослідження структури зі спектрів пружно відбитих електронів, який дозволяє визначати міжатомні відстані в приповерхневих шарах твердих тіл. Визначені параметри ближнього порядку (ПБП) тонких аморфних плівок оксинітридів кремнію різної стехіометрії Показана незалежність ПБП від температури в інтервалі 300-1300К. Розроблено нову методику для розширення часового діапазону СТМ при дослідженні динамічних явищ. Зафіксовано існування невідомого типу симетрії поверхневої гратки структури Si(100)с(4x4). Розглянута адсорбція молекули О2 на чисту поверхню Si(001), поверхню з початковим зарядом Q=-1e та поверхню з атомом Bi і знайдена енергія активації дисоціації О для синглетного та триплетного стану системи для цих поверхонь Проаналізовано вплив початкового заряду на процес. Встановлено, що плівки Мо з стовпчастою структурою з розміром кристалітів до 100 нм розпорошуються іонами D2 нерівномірно. Це приводить до швидкої деградації їх оптичних характеристик при (= 650-250 нм, більших за розмір кри сталітів. Тобто, нанометровий розмір кристалі-тів плівки не є визначальним для зберігання гладкої поверхні при іонній обробці низкоенергетичними легкими іонами Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити