Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0302U005048, 0101U006494 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження генераційно-рекомбінаційних процесів та електронного транспорту в напівпровідниках та напівпровідникових структурах як основи для створення елементної бази новітніх засобів комплексної автоматизації та інформатизації Назва етапу роботи Теоретичне та експериментальне дослідження електронного транспорту в нанокристалічних гетероструктурах, двовимірних вільних носіїв заряду в тонких шарах напівпровідників, авто- та фотоелектронної емісії поруватого кремнію. Керівник роботи Третяк Олег Васильович, Дата реєстрації 13-02-2002 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Встановлені механізми переносу двовимірних вільних носіїв заряду в тонких шарах напівпровідникових структур. Досліджені властивості квантових точок в гетероструктурах на основі GaAs-GaAlAs. Одержано спектри електрично-детектованого магнітного резонансу на пластично деформованому кремнії при частотах 1-30 МГц. Встановленa наявність сигналу ЕДМР при нульовому значенні постійного магнітного поля. Теоретично та експериментально досліджено процеси електронного переносу в гетероструктурах із включеннями нанокристалічних напівпровідників. Встановлено, що неоднорідність хімічного складу та поруватості по товщині анодних шарів поруватого кремнію визначає динаміку змін квантового виходу та зсуву спектральних характеристик ФЛ цього напівпровідника під впливом додаткового УФ опромінення, хімічного травлення та та адсорбції органічних молекул. Запропоновано два види газових сенсорів на основі гетероструктур метал - поруватий TiO2-поруватий кремній-кремній Досліджені ефекти, пов'язані з протіканням струмів надвисок ої густини через плівки Inx Oy. Розроблена програма обробки результатів експерименту складного DLTS спектру. Програма дає змогу досліджувати повну релаксаційну криву зміни ємності напівпровідникових гетроструктур. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити