Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0302U005145, 0100U003283 , Науково-дослідна робота Назва роботи Кінетика фазових перетворень та релаксаційних процесів в кристалах в умовах великих тисків, збудження пружних коливань і опромінювання Назва етапу роботи Дослідження температурної залежності кінетики росту фази Cu5Zn8 в системі Cu-Zn в інтервалі гідростатичних тисків 0,05-0,9 ГПа. Дослідження частотної та температурної залежності константи демпфування в монокристалах KBr. Встановлення дисперсних залежностей частот резонансного проходження та відбиття пружних коливань в ГЦК кристалах при різних значеннях параметру дефекта. Дослідження механізмів масопереносу при формуванні треків іонів Pb з енергією 4,5 MeV/n в кристалах з різною структурою Керівник роботи Парицька Л.Н.; Мацокін В.П., Дата реєстрації 25-03-2002 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкти дослідження — полікристали Cu5Zn8, монокристали KBr, слюда мусковит та гіпс. Мета роботи — визначити температурні залежності кінетики росту інтерметаліду Cu5Zn8 під тиском в системі Cu-Zn, положень частотного спектру декременту затухання ультразвуку, константи демпфування дислокацій. Встановити області суцільного спектра ГЦК кристалів з плоским дефектом. Вивчити особливості формування треків в кристалах з шаруватою структурою. Методи дослідження — металографія, растрова електронна мікроскопія, рентгенівський мікроаналіз, ультразвукове опромінювання, комп'ютерні розрахунки. Встановлено, що інтерметалідна фаза в системі Cu-Zn росте "уніполярно", тобто тільки при дифузії Zn через зростаючий шар з подальшою реакцією на міжфазній границі Cu5Zn8-Cu. Великий гідростатичний тиск (1 ГПа) знижує швидкість росту фази в тим більшій мірі, чим нижче температура. Показано, що із зниженням температури рівень акустичних втрат в монокристалах KBr зменшується і частотний спектр зміщується в область високих частот. Коефіцієнт демпфування дислокацій з підвищенням температури зростає. Встановлено області суцільного спектра ГЦК кристалів, в яких можуть відбуватись процеси повного проходження та повного відбиття пружних хвиль від плоского дефекта. Визначено дисперсійні залежності частот повного проходження та повного відбиття для різних величин параметру дефекта. Встановлено, що при опромінюванні поверхні шаруватих кристалів важкими багатозарядними іонами під кутами < 1о напрямок руху іона змінюється кожен раз, коли іон перетинає черговий щільнопакований шар. Результати роботи можуть бути використані при розробці теорії, технології та експлуатації сучасних жаростійких матеріалів, що використовуються в умовах дії на них високих гідростатичних тисків та знакозмінних напружень, а також при вирішенні задач, пов'язаних з пошкодженням поверхневого шару кристалів при опромінюванні їх важкими багатозарядними іонами. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити