Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0302U005235, 0100U001551 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження інвертованих розподілів носіїв заряду в напружених матеріалах у терагерцовому діапазоні спектру Назва етапу роботи Вивчення спонтанного і стимульованого випромінювання напруженими і ненапруженими напівпровідниковими структурами при Т=4.2 і Т=77К Керівник роботи Тулупенко В.М., Дата реєстрації 22-04-2002 Організація виконавець Донбаська державна машинобудівна академія Опис етапу Об'єкт дослідження - напівпровідникові матеріали: p-Ge, наноструктури на основі GaAs. Мета - розробка фізичних принципів створення інверсній заселеності носіїв заряду. Досліджено спонтанне випромінювання з ненапруженого й одновісно стиснутого p-Ge в електричному полі. Розраховано характеристики домішкових станів для короткодійного потенціалу у квантовій ямі. Зібрано установку для проведення досліджень оптичних ефектів у наноструктурах Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити