Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0303U003072, 0101U002880 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фундаментальні основи процесів формування поверхневих нанорозмірних структур та методів досліджень перспективних матеріалів для потреб енергокомплексу Назва етапу роботи Експериментальні та розрахункові дослідження взаємодії систем Si - адсорбат з молекулярним киснем. Дослідження переносу самоорганізованих візерунків 0 - вимірних та 1-вимірних об'єктів на поверхні кремнію. Керівник роботи Находкін Микола Григорович, Дата реєстрації 28-01-2003 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Показано, що при експозиціях кисню ? 106 Л, на відміну від малих експозицій, в системі Sb/Si(001)+О2 реєструються оже-лінії окисленого кремнію, що свідчить про формування Si-O-Si структур. Також можливе формування оксидів сурми при великих експозиціях кисню. Квантовохімічне моделювання показало, що можливе існування як активаційних, так і безактиваційних шляхів для дисоціації молекули кисню на поверхнях Si(001)-M(1МШ) з дефектами типу "траншея" або на поверхневих подвійних вакансіях атомів металів V-групи. Обчислено енергії активації дисоціації молекули О2: Едис=0.88 eV, 0.9 eV, 0.7 eV та 0.5 eV для поверхонь Si(001)2x1, Si(001)/As, Si(001)/Sb та Si(001)/Bi, відповідно: енергетичний бар'єр зменшується зі збільшенням атомного номеру адсорбованих атомів металів V - групи. При наявності на Si(001)2x1 додаткового заряду величина бар'єру зменшується, порівняно з чистою поверхнею. Методом СТМ встановлено, що рух двох сусідніх Б-димерів Bi в одному напрямку в межах одного ряду грані Si(100)2х1 є узгодженим, ане послідовністю статистично незалежних стрибків в одному напрямку кожного з димерів. Цей рух обумовлений існуванням між димерами слабкої взаємодії, ймовірно через підкладинку. Доказом існування взаємодії між сусідніми Б-димерами Bi є асиметризація їх зображень у вільних станах в порівнянні з одиночними Б-димерами. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Фундаментальні основи процесів формування поверхневих нанорозмірних структур та методів досліджень перспективних матеріалів для потреб енергокомплексу
Керівник: Находкін Микола Григорович. Фундаментальні основи процесів формування поверхневих нанорозмірних структур та методів досліджень перспективних матеріалів для потреб енергокомплексу. (Етап: Експериментальні та розрахункові дослідження взаємодії систем Si - адсорбат з молекулярним киснем. Дослідження переносу самоорганізованих візерунків 0 - вимірних та 1-вимірних об'єктів на поверхні кремнію.). Київський національний університет імені Тараса Шевченка. № 0303U003072
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-20


Роздрукувати цю сторінку