Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0304U001667, 0101U006518 , Науково-дослідна робота Назва роботи Технологічні аспекти радикало-променевої епітаксії гетеро структур на основі сполук А3В5 Назва етапу роботи Технологічні аспекти радикало-променевої епітаксії гетеро структур на основі сполук А3В5 Керівник роботи Кідалов В.В., Дата реєстрації 12-03-2004 Організація виконавець Бердянський державний педагогічний університет Опис етапу За допомогою проміжного шару (пористого GaAs) між GaN і GaAS отриманий новий тип гетеропереходів між матеріалами значно розрізняються по величині постійних ґрат. За допомогою фотолюмінесцентних і дифракційних вимірів показано, що плівки GaN не мають напруг. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити