1 documents found
Information × Registration Number 0304U001686, 0103U003082 , R & D reports Title Investigation of the processes of low temperature formation, modification and properties of nanocrystalline films on the basis of silicon carbide popup.stage_title Вивчити процеси іоно-плазмового низькотемпературного осадження плівок SiC з різними структурними станами та встановити зв'язок між умовами осадження SiC плівок та їх структурним станом і властивостями Head Semenov A., Registration Date 16-03-2004 Organization Department of Optical and Constructional Crystals of STC <Institute for Single Crystals> popup.description2 Stablished are the conditions of the obtaining of SiC films with different structure states in the range from amorphorcs to crystalline state.obtained are nanocrystalline SiC films with 15-100 nm crystal size.5635 Product Description popup.authors popup.nrat_date 2020-04-02 Close
R & D report
Investigation of the processes of low temperature formation, modification and properties of nanocrystalline films on the basis of silicon carbide
Head: Semenov A.. Investigation of the processes of low temperature formation, modification and properties of nanocrystalline films on the basis of silicon carbide. (popup.stage: Вивчити процеси іоно-плазмового низькотемпературного осадження плівок SiC з різними структурними станами та встановити зв'язок між умовами осадження SiC плівок та їх структурним станом і властивостями). Department of Optical and Constructional Crystals of STC <Institute for Single Crystals>. № 0304U001686
1 documents found

Updated: 2026-03-20


Роздрукувати цю сторінку