Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0304U001963, 0103U003471 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка гранично припустимих інтервалів зміни основних технологічних параметрів процесу вирощування, що знижують імовірність утворення дефектів у зростаючих кристалах NaІ(Tl). Назва етапу роботи Аналіз основних технологічних параметрів по ступені впливу на утворення дефектів у зростаючих кристалах NaІ(Tl). Наробіток матеріалу для бази даних, проведення графічного і математичного аналізу по фактичних відхиленнях основних технологічних параметрів від заданих і розробка гранично припустимих інтервалів їхньої зміни. Видача рекомендацій зі зміни технологічного регламенту. Керівник роботи Горилецький В.І, Дата реєстрації 20-05-2004 Організація виконавець Інститут сцинтиляційних матеріалів Національної академії наук України Опис етапу Для вирішення завдання по зниженню ймовірності утворення дефектів у кристалах при вирощуванні була створена технологічна база даних основних параметрів процесу вирощування для установок типу "Рост". Проведена статистична обробка на різних стадіях процесу (підготовка до вирощування, ріст кристала в радіальному та вертикальному напрямку, вимір оптичних, сцинтиляційних характеристик) та виявлений перелік усіх технологічних параметрів, що впливають на можливість утворення дефектів у зростаючому кристалі. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити