Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0304U002196, 0101U002880 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фундаментальні основи процесів формування поверхневих нанорозмірних структур та методів досліджень перспективних матеріалів для потреб енергокомплексу Назва етапу роботи Дослідження міграції та сегрегації в системах кремній з сурфактантом - германій, а також формування електронної структури та адсорбційних властивостей інтерфейса Si – адсорбат Керівник роботи Находкін М.Г., Дата реєстрації 23-02-2004 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Показано, що інтерфейс Cu/Ge(111) утворюється за різними механізмами на кристалічній та аморфізованій поверхнях Ge. Ці механізми відрізняються від утворення інтерфейсу Cu/Si(111). Методом компьютерного моделювання дифузії В-димеру Ge-Ge та Si-Si вздовж димерного ряду на поверхні Ge(100) показано, існування двох шляхів дифузії, обраховані енергетичні бар'єри цього процесу та встановлено, що шляхи є рівноймовірними. Методом СТМ та оже – спектроскопії встановлено, що в утворенні та переходах різних типів структури поверхні Si(100) важливу роль відіграє адсорбований на поверхні вуглець в кількості до 0.01МШ. Показано істотний вплив кута розсіювання електронів на інтенсивність піку об'ємного плазмону в спектрах ХВЕЕ і це необхідно враховувати при аналізі електронних спектрів і при побудові фізичних моделей взаємодії електронів середніх енергій із твердим тілом. Розроблена методика обробки спектрів ХВЕЕ на відбиття придатна не тільки для дослідження металів, але й напівпровідників, навіть у випадках складнихспектрів. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити