Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0304U002200, 0101U006494 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження генераційно-рекомбінаційних процесів та електронного транспорту в напівпровідниках та напівпровідникових структурах як основи для створення елементної бази новітніх засобів комплексної автоматизації та інформатизації Назва етапу роботи Дослідження впливу зовнішніх факторів на сенсорні структури, спін-залежної рекомбінаціїї через парамагнітні центри, структур із системою тунельно-резонансних бар’єрів, розшарування струму в структурах КНІ Керівник роботи Третяк Олег Васильович, Дата реєстрації 23-02-2004 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Досліджено вплив зовнішніх факторів на параметри контактних гетероструктур з нанокристалічними напівпровідниками та діелектриками; вплив надпровідності на процеси електронного переносу в контакті метал–напівпровідник. Розроблена технологія виготовлення метал-органічних напівпровідників; визначені властивості контактних структур на основі органічних напівпровідників. Досліджено ефекти локального поля в структурах з прихованими квантовими точками; ємнісні характеристики шаруватих структур з Ge квантовими точками в Si; процеси струмопереносу в гетероструктурах на основі GaAs з подвійним тунельно-прозорим бар’єром. Теоретично пояснені магнітні аномалії в анізотропному феромагнетику Ni2MnGa. Визначені особливості ефекту Хола в оксидних плівках InxOy та протікання струмів надвисокої густини в кремнієвих структурах з діелектричною ізоляцією Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Третяк Олег Васильович. Дослідження генераційно-рекомбінаційних процесів та електронного транспорту в напівпровідниках та напівпровідникових структурах як основи для створення елементної бази новітніх засобів комплексної автоматизації та інформатизації. (Етап: Дослідження впливу зовнішніх факторів на сенсорні структури, спін-залежної рекомбінаціїї через парамагнітні центри, структур із системою тунельно-резонансних бар’єрів, розшарування струму в структурах КНІ). Київський національний університет імені Тараса Шевченка. № 0304U002200
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18