Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0304U002931, 0104U009957 , Науково-дослідна робота Назва роботи "Розробка технологічних методів отримання наноструктур на основі InGaN з використанням установки газофазової епітаксії із металоорганічних сполук "Epiquip" Назва етапу роботи "Розробка технологічних методів отримання наноструктур на основі InGaN з використанням установки газофазової епітаксії із металоорганічних сполук "Epiquip" Керівник роботи Лущик Сергій Володимирович, Дата реєстрації 14-01-2005 Організація виконавець Товариство з обмеженою відповідальністю "Українська технологічна агенція" Опис етапу В процесі виконання НДР вирішені наступні науково-технологічні проблеми: -розроблено методики досліджень світловипромінюючих приладів, утворення світловипромінюючих структур на основі InGaN ; -досліджено експериментальні зразки, отримани методами газофазової епітаксії із метало-органічних сполук (МО ГФЕ); -Розглянуті особливості технології наноструктур GaAlN/InGaN/GaN для світловипромінюючих діодів стосовно МОС-гідридного методу епітаксії. -На основі термодинамічного аналізу системи і результатів експериментальних досліджень встановлена найзначущіша технологічна залежність процесу і оптимальні умови проведення всіх стадій технологічного циклу отримання наноструктур GaN/AlGaN/InGaN/GaN на підкладках сапфіра - нитридізації, зростання зародкового шару і його відпалу, зростання легованих шарів зростання легованих і нелегованих шарів GaN, InGaN, AlGaN на установці МОС-гідридної епітаксії. -Проведено аналіз вимог до початкових речовин для МОС-гідридної епітаксії високоякісних наноструктур для світловипромінюючих діодів і забезпеченості промисловим устаткуванням виробництва таких структур Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити