Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0304U002932, 0104U009814 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технологічних принципів створення нанотекстурованих плівок електропровідних оксидів для виготовлення наноструктур електропровідних оксидів. Назва етапу роботи Розробка технологічних принципів створення нанотекстурованих плівок електропровідних оксидів для виготовлення наноструктур електропровідних оксидів. Керівник роботи Оболонський В.О., Дата реєстрації 14-01-2005 Організація виконавець Державний науково-дослідний центр "Фонон" Опис етапу Отримані нами структури на поверхні халькогенідів In і Ga, але набагато більш дешевим способом, по своєму виді і розмірам аналогічні квантовим крапкам германія, мають явно виражену гостру форму. Сполучення високої електропровідності голок In2ПРО3 з достатньою електропровідністю InSe робить перспективним використання таких структур у наноелектроніці. Структури на основі Ga - Ga2O3 можуть становити інтерес як активні елементи генераторів террагерцового діапазону. Досліджено процеси осадження тонких наноструктурованих плівок оксиду цинка методами реактивного термічного напилення, високочастотним магнетронним розпиленням та PEMOCVD. Виконано рентгеноструктурні, та оптичні дослідження осаджених плівок. Досліджено морфологію поверхні за допомогою атомного силового мікроскопу. Показано, що при деяких умовах осадження ріст плівок оксиду цинку супроводжується формуванням гольчастої структури, що робить ZnO перспективним матеріалом для використання в якості холодних польових емітерів. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити